铠侠和西部数据率先增产，带动全年NANDFlash供应位元年增率升至10.9%
据TrendForce集邦咨询研究显示，在NANDFlash涨价将持续至第二季的预期下，部分供应商为了减少亏损、降低成本，并寄望于今年重回获利。今年三月起铠侠/西部数据率先将产能利用率恢复至近九成，其余业者均未明显增加投产规模。
TrendForce集邦咨询进一步表示，为应对下半年旺季需求，加上铠侠/西部数据本身库存已处低水位，本次扩大投产主要集中112层及部分2D产品，有望在今年实现获利，并进一步带动2024年NANDFlash产业供应位元年增率达10.9%。
制程方面，2024年随着NANDFlash价格反转，供应商的库存水位也开始逐步降低，为了维持长期成本竞争优势，供应商也开始升级制程。其中，又以三星（Samsung）和美光（Micron）最积极，预估两家业者于今年第四季时，200层以上制程产出将超过四成。
铠侠和西部数据2024年产出重心仍为112层，而受惠于日本政府补助支持，预计今年下半年将开始移入设备，增加218层产出，预估2025年218层产出更为积极。根据铠侠目前的制程研发规划，为了达成更佳成本结构，并寄望能在技术及成本上重回领先地位，218层之后产品将直接迈入300层以上制程。
继铠侠/西部数据后，目前观察NANDFlash供应商将陆续于下半年增加投产，但随着PC及智能手机买家第一季库存水位持续上升，后续采购动能进一步收敛。与此同时，AI功能并未在今年实际带动NANDFlash容量升级，若最主要的需求市场EnterpriseSSD采购没有明显回升，今年整体NANDFlash需求位元成长可能不如预期。因此，TrendForce集邦咨询预期，NANDFlash合约价涨幅自第二季起，将收敛至10~15%，至第三季会再降至0~5%。
英伟达B200售价曝光
英伟达全新一代Blackwell架构人工智能（AI）GPU已发布，首款产品为B200。英伟达CEO黄仁勋在海外媒体节目中透露，Blackwell新产品每个成本在30000~40000美元之间，其研发费用大约花费了100亿美元。
这一定价，可能使得B200在人工智能领域受到欢迎，因为其前身H100的定价约在25000~40000美元之间，而新产品的性能远超前代。
黄仁勋透露，新产品的成本不仅与芯片本身有关，还代表了藉此设计数据中心和集成适配到其它公司数据中心的成本。
B200的体积比英伟达上一代AI芯片Hopper大了一倍，集成有2080亿个晶体管，配备192GBHBM3E高带宽存储，执行部分计算的性能是H100的30倍。该公司预计新产品将于2024年晚些时候出货，但要等到2025年才会大批量供应。
行业动态
面板“内卷”外溢，品牌厂小心亏大钱
宏碁董事长陈俊圣日前提到PC产业风险，曾呼吁要小心面板价格持续下滑的问题。陈俊圣19日再度示警品牌厂要小心，他说，面板“内卷”情况从中国大陆外溢，变成全世界都在卷的现象，而内卷外溢又影响整个产业，品牌厂及通路库存若没有操盘好的话，其实很容易亏大钱。
陈俊圣指出，最近才学到一个新词是“involution”，中文意思就是内卷，这个不是中国发明的字，其实一直都有，当这个产业没有办法突破，产能超过他的需求的时候，会有一个现象出来，而内卷的现象其实不只在中国发生，现在是内卷外溢，变成全世界都在卷的现象。
陈俊圣表示，面板只是其中之一，电池现在也有这个现象，这是对我们产业有影响的。那离开我们的产业以外，包含电动车、太阳能板，甚至化工原材料、钢铁这些全部都是供过于求，对整个产业、总体经济影响是极大的“。
他说，以面板来说，当他供过于求会出现杀价及降低产能利用率现象，而在一路杀价过程中，品牌厂采购进来零组件就要很小心，因为你留在手上的货可能一直降价。原来你觉得低价，但他过两天就变高价了。
他透露：“我们有一个竞争对手上季亏钱，很重要一个原因就是他的显示器赔钱。回过头来，库存没有操盘好的话，其实很容易亏大钱，这是内卷外溢整个产业产生的影响，对品牌厂及通路端都会产生很大的影响。”
长电科技：大基金、芯电半导体正在筹划公司股权转让事宜，股票暂时停牌
长电科技发布公告，公司大股东国家集成电路产业投资基金股份有限公司（简称“大基金”）、芯电半导体（上海）有限公司正在筹划公司股权转让事宜，该事项可能导致公司控制权发生变更，公司股票自2024年3月20日（星期三）上午开市起停牌，预计停牌时间不超过两个交易日。
SK海力士HBM3E内存现已量产，月内将供货给英伟达
SK海力士今日宣布已开始量产最新款内存产品HBM3E，并将于3月下旬供货给主要客户，其中包括拥有基于Hopper架构的H200和基于BlackWell架构的B200GPU的英伟达。
SK海力士是首家HBM3E供应商，于2023年8月份完成HBM3E存储器的开发，上个月向英伟达发送了新款12层堆叠HBM3E样品进行测试，如今宣布量产的HBM3E存储器应该是8层堆叠的产品，容量为24GB。SK海力士表示，其最新的HBM3E产品在速度和热量控制上是目前业界内最好的。最新款HBM3E每秒可处理1.18TB的数据，相当于在一秒内处理230多部全高清电影（每部5GB）。同时，SK海力士的HBM3E产品在采用AdvancedMR-MUF工艺后，与上一代产品相比，散热性能也提高了10%，减少了积热的可能性。
SK海力士HBM业务负责人SungsooRyu表示，HBM3E的量产完善了公司AI存储器产品阵容，并希望以HBM产品线的成功经验，进一步提升客户对公司的信心，稳固与前者的关系，夯实公司在AI存储器供应领域的领先地位。
之前也有报道称，为了应对竞争更加激烈的存储器市场，SK海力士曾拟计划于美国印第安纳州建造晶圆厂，以及在韩国本土投资10亿美元建造先进的HBM封装设施，如今率先量产HBM3E产品，无疑使SK海力士在未来存储器市场里占得一定先机。
谈判失败，三星员工要罢工了
三星电子最大的工会——“三星电子全国工会”宣布成立劳资纠纷委员会，将从当天开始进行劳资斗争。
14日，韩国国家劳动关系委员会召开第三次调解会议，工会依法获得了罢工权利，并作出中止调解的决定。但工会应资方要求搁置了争议，并于3月14日上午与资方进行了新一轮谈判，但最终谈判破裂。
由于三星与工会在薪资谈判方面未能取得进展，工会方面正威胁如果不满足其要求，将采取罢工行动。此次薪资谈判中，工会要求大幅度涨薪，而三星电子虽然也提出了加薪方案，但双方在加薪幅度上存在较大差距。
据了解，2月20日，三星电子与韩国电子工会在世宗政府综合大楼中央劳动委员会举行的首次调解会议上未能达成协议。
调解委员会将在提出正式调解方案之前，听取双方陈述并调查相关事实。如果双方接受该方案，将结束这场旷日持久的纠纷，否则工会有权罢工。
三星电子目前提供的方案是将基本工资上调2.8%，同时延长长期服务休假和生育假，并为员工配偶提供综合体检。相比之前提出的2.5%的工资涨幅，三星已经有所让步。然而，这仍然远低于工会要求的8.1%涨幅。
外媒：沙特猛砸400亿美元，进军AI领域
《纽约时报》周二（19日）报道，沙特阿拉伯政府计划设立约400亿美元的基金来投资人工智能（AI）。
报导指出，沙特阿拉伯计划成立规模为400亿美元的基金，以投资AI，这个庞大的基金有可能成为AI市场中最大的参与者。
沙特阿拉伯公共投资基金（PIF）的代表最近几周讨论了与美国创投公司AndreessenHorowitz和其他金融家的潜在合作伙伴关系，考虑在硅谷成立办公室。
沙特政府考虑投资一些芯片制造商和扩张阶段的数据中心，将于2024年下半年推动AI投资。
爱仕特/英威腾/深圳先进院，三方联合启动深圳市科技重大专项
近日，深圳爱仕特科技有限公司、深圳市英威腾电动汽车驱动技术有限公司、中国科学院深圳先进技术研究院签署合作协议，联合开发基于SiC的新能源汽车高集成度多功能驱动系统，获得了2023年度深圳市创新创业计划—科技重大专项项目的立项批准。
该项目技术研发涵盖SiC功率模块、高可靠性电子控制系统及混合动力驱动系统。其中，爱仕特将着力研发SiC功率器件的关键封装及测试、驱动和结温保护等技术，重点开发SiC驱动，实现门极震荡的抑制、快速精准的保护性能。
爱仕特提供高质量碳化硅（SiC）功率器件。目前公司已量产650V、1200V、1700V、3300V等不同电压等级的碳化硅MOSFET（51款）和功率模块（66款），以及基于碳化硅（SiC）功率器件的整机应用系统解决方案，产品性能达到国际先进水平，服务于新能源汽车、光伏储能、消费电子等领域的全球数百家客户。
今年3月1日，爱仕特宣布，公司成功中标中国电气装备集团旗下“SiC模块封装设计与工艺开发技术服务项目”。此次中标，公司将提供SiC功率模块封装设计与工艺开发技术服务，在项目工期内交付基于爱仕特1200V/1700VSiC芯片的62mm封装定制开发功率模块。爱仕特将根据需求持续批量交付高质量SiC功率器件，进一步拓展新能源市场。
台积电供货商延后在美设厂，凸显复制芯片产业链难度大
日经新闻报道，台积电与英特尔的至少五家供应商，都已延后在美国亚利桑那州的建厂行动，显示要在美国复制芯片供应链的挑战比原先预期还要更大。
此前，随着台积电、英特尔在亚利桑那州兴建晶圆厂，化学和材料制造商李长荣化工（简称荣化）、Solvay、长春集团、关东鑫林亚利桑那分公司（KPPCAdvancedChemicals）和崇越科技等，也都宣布在亚利桑那州的设厂计划并购买土地。
但报导引述多位半导体产业主管的说法指出，由于营建材料和劳力成本飙高，且营建劳工短缺，这些工厂的兴建工作都已暂缓或大幅缩减规模。其中一些建厂作业延后可能只是暂时的，但其他建厂计划则是要通盘检讨，而且没有重启的具体时间表。供应商说，英特尔和台积电的设厂进度比预期慢，也是延后建厂计划的原因之一。
日经分析，这种情况并非个案，代表是更结构性的因素所造成。三位半导体材料产业的主管透露，在亚利桑那州建厂的成本，已膨胀至亚洲设厂成本的四倍或五倍，比原先规划的预算高出「好几倍」。
荣化总经理刘文龙向日经表示，会调整在亚利桑那州的美国厂兴建步调，理由是成本飙高，初步将通过海运化学品到美国的方式，供应给在美国的客户，不会急着在当地盖制造厂。荣化的客户包括台积电、英特尔和美光等。
知情人士也透露，半导体用高纯度双氧水顶尖供应商比利时业者Solvay，也已延后兴建亚利桑那工厂，除了成本疑虑，还担心英特尔、台积电扩产的进度会比预期还久。
另一家半导体用高纯度双氧水大厂台湾地区长春集团，则大幅缩减亚利桑那新厂的营建规模，因为成本比预期高了数倍。
关东鑫林亚利桑那分公司延后在当地兴建高纯度硫酸厂，该公司主管透露，主要原因就是当地需求还不需要那么多的本地供应。长春集团和关东鑫林不愿对上述置评，Solvay则说正在了解此事。
产品创新
国产AI服务器问天WA5480G3交付，可搭载国产AI算力芯片
联想中国官方宣布，联想首台可搭载国产AI算力芯片的联想问天WA5480G3服务器今日在合肥成功交付。
联想集团副总裁陈振宽表示：“联想首台国产AI服务器的问世，不仅缘于国产AI算力技术的逐步成熟，也得益于联想与本土产业各生态伙伴的紧密合作，从设计研发到最终生产，每一步都凸显出本地化产业模式的优势和潜能。”
据了解，问天WA5480G3AI训推一体服务器可灵活应用于AI通用模型训练，大模型推理、AI生成、云游戏、科学计算等多种应用场景。
问天WA5480G3采用2颗第四代英特尔至强可扩展处理器，支持最新PCIE5.0。
通过PCIE扩展，最多可以支持10张包括最新NVIDIAH800GPU在内的，多类型、多品牌AI加速卡。
同时，提供包括直通、Balance、Common多种CPU-GPU互联方式，避免了因为CPU-GPU数据通信方式单一与工作负载不匹配，带来的潜在性能瓶颈和系统效率下降。
可靠性上，问天WA5480G3支持电源N+N冗余，节点内电源间互为备份，对外可以连接双路市电，保障服务器24小时在线运行。