SK海力士公司和三星电子公司相信，由于生成式人工智能的轰动，新的存储芯片市场即将复兴即将来临，这正在加速定制、高性能下一代芯片的开发。
SK海力士DRAM营销主管Park Myung-soo在一次发布会上表示：“人工智能服务器需要 500 GB 或更大的高带宽内存 (HBM) 芯片以及至少 2 TB 的 DDR5 芯片。” 。
“人工智能竞争是存储芯片需求增长的强劲推动力。”
SK海力士预测，AI芯片热潮带动HBM市场到2027年将达82%的复合年增长。 三星电子和其同城竞争对手的观点，预计明年HBM市场将比今年增长一倍以上。
三星电子DRAM产品与技术执行副总裁Hwang Sang-joon同日在KIW 2023上表示：“我们客户当前的(HBM)订单决定比去年增加了一倍多。”“无缝HBM生产、封装和制造能力将比较。”
HBM 是一种高性能、高性能半导体，由于它被为生成型人工智能设备、高性能数据中心和机器学习平台提供动力，因此其需求量正在激增。其需求预计将进一步增长，因为该需求将进一步
增长芯片与图形处理单元（GPU）一起使用，以增强生成式人工智能的能力，例如ChatGPT，这是OpenAI开发的人工智能聊天机器人，被认为是下一个将统治世界的重大事物。这相当于韩国
内存派对，也是全球排名靠前的厂商，都在 HBM 芯片上下了重注，该芯片垂直互连多个 DRAM 芯片，与传统 DRAM 产品相比，可大幅提高数据处理速度。它们至少贵五倍。
市场追踪机构TrendForce的数据显示，SK海力士于2013年推出了全球HBM芯片，截至2022年，该公司在全球HBM市场中捐赠了50%的份额。三星电子紧随其后，占40 %，其次是美光科技公司，占10%。
AI驱动的HBM芯片需求增长为高附加值、定制DRAM芯片创造了新的内存市场，包括内存处理（PIM）、计算快速队列（CXL）和根据行业专家的说法，双倍数据速率 5 (DDR5)。
“我们提前大约两到三年开始讨论（芯片开发）路线图，”Park说。“这增加了锁定效应。”为了在新市场保持对手领先，SK海力士和三星电子将全力开发下一代存储芯片产品。
SK 海力士周一公布了计划于 2026 年推出第六代 HBM HBM4。目前该公司正在向美国 GPU 厂商 Nvidia 公司供应 HBM3 芯片，上个月向美国无晶圆厂公司提供了 HBM3E 的样品，即 HBM3的扩展版本。
它还计划与制造公司合作生产HBM4。
其更大的竞争对手三星电子也将重点开发性能主内存DDR5和超大容量内存CXL，以及近内存HBM。“加速器PIM与CXL接口的集成将进一步扩大DRAM的使用，”Hwang说。
“我们的客户需要高性能 DRAM，而不是预算 DRAM，”他说。
CXL DRAM是下一代接口，可以提高内存资源的有效分配，并且可以起到外部硬盘驱动器的作用。PIM是一种辅助CPU数据处理的DRAM。韩国董事总经理Na Seung -joo 预测，明年下半年英特尔下一代高性能 CPU（称为 Granite Rapids）的发布将刺激 CXL DRAM 要求。
虽然下一代内存产品预计将打开一个新的 DRAM 市场，但内存广泛市场预计将在今年晚些时候进入升级周期，部分原因是市场今年年初提出的晶圆裁剪工作。
Hwang表示，“内存芯片市场本应在2021年进入下行周期，但供应链导致我们的客户囤积崩溃库存”，这导致去年内存行业的库存积压导致内存行业但延迟严重的现象 。供应预计将在今年第三季度达到平衡，部分原因是产量减少，其需求预计第四季度开始增加。”英特尔韩国公司 Na 表示，英特尔第四代 CPU（称为 SapphireRapids）针对整个 DRAM 的推出业界称也是好兆头。
他还补充说，英特尔在8月中旬出货了100万颗Sapphire Rapids，这对DDR5需求来说是一个福音。