由于全球金融危机和半导体行业的周期性波动，全球半导体产品出货量从 08年4季度到09年1季度经历了大幅下滑，主要经济体的半导体产品出货量都降到5年以来的最低水平。随着经济复苏，半导体行业实现了强劲复苏并步入景气上升阶段，到09年4季度半导体产品的出货量基本恢复到08年的最高水平。
在2010年，整个半导体产业经历了非常高的景气阶段，全球各主要经济体的半导体产品出货量都屡创新高，进入3季度以后，需求依然非常强劲，出货量仍在高点。
过去几年，中国功率器件市场一直保持增长，中国已经成为全球最大的功率器件市场，随着中国工业化的深入以及经济持续发展，功率器件在未来几年仍将保持增长。而处在增长期的IGBT作为第三代功率器件，由于其开关快、损耗低、通态电流较大等诸多优点，将在未来几年保持高速的增长。
电力电子器件的发展经历了晶闸管（SCR）、可关断晶闸管（GTO）、晶体管（BJT）、绝缘栅晶体管（IGBT）等阶段。目前正向着大容量、高频率、易驱动、低损耗、模块化、复合化方向发展，与其他电力电子器件相比，IGBT 具有高可靠性、驱动简单、保护容易、不用缓冲电路和开关频率高等特点。
目前，应用在中压大功率领域的电力电子器件，已形成GTO、IGCT、OGBT、IEGT相互竞争不断创新的技术市场，在大功率（1MW），低频率（1kHz）的传动领域，如电力牵引机车领域 GTO、IGCT、IGBT 各有优势，而在高载波频率、高斩波频率下，IGBT、IEGT有着广阔的发展前景，在现阶段中压大功率变频领域将由这4种电力电子器件构成其主流器件。另外，IGBT在所能应用的范围正在大范围的替代了传统的晶闸管（SCR）、可关断晶闸管（GTO）、晶体管（BJT）等器件。
处在增长期的 MOSFET 和 IGBT 则市场上长期由外资厂商占据，由于MOSFET的前端生产工艺同IGBT类似，在国内许多厂商做成功生产出MOSFET系列产品之后将可以转而试生产IGBT，目前，中环股份、华微电子、士兰微等都将量产出货，而东光微电也有可能尽快做出IGBT样品。
由于未来几年工业化持续深入，IGBT 最大的应用领域工业控制领域将保持持续的较高速度增长；同时，由于电磁炉、微波炉、变频家电以及数码相机等产品的快速发展，消费电子已经成为IGBT的第二大应用领域，在产品数量上甚至已经超过了工控领域IGBT数量，但是价格相对较低，所以市场规模低于工控领域；值得注意的是，由于变频家电在整个国内市场的渗透率还比较低，所以还有巨大的发展空间；在
汽车电子方面，IGBT 已经全面替代达林顿管成为点火装臵的首选器件，而IGBT也将随着汽车在国内的发展保持较高速度的增长；此外，作为关键的功率半导体器件，IGBT 在电力传送、列车牵引、太阳能及风能发电以及
新能源汽车方面的应用将明显受益于国家的智能电网、高铁建设及新能源建设等宏观政策。此外，由于 IGBT 本身的技术不断进步以及各国对能源问题的重视，IGBT 将在中高压大电流领域替代部分的SCR和GTO产品。