9月28日，赛晶
电力电子对外发布了首款自主研发的国产1200V IGBT芯片及模块产品，该产品主要面向
新能源发电领域。此外，公司表示将推出600V至1700V的中低压领域产品，瞄准电动汽车、光伏风电、工业变频等市场。
IGBT被称为电力电子的“CPU”，是一种新型电力电子器件，由BJT（双极型三极管）和MOS（绝缘栅型场效应管）组成，具有驱动功率小、饱和压降低等特点，适用于交流电机、变频器、开关电源、照明电路、牵引传动等领域。
多年来，国内IGBT市场由欧美企业垄断，中国企业市场份额较低。而今随着新能源、节能环保等政策的大力推动，国内IGBT市场持续快速增长，国产替代空间广阔。目前国内许多厂商正在积极研发IGBT，下游用户也开始使用国产芯片，本土厂商迎来发展良机。
在全球IGBT市场中，由英飞凌、三菱、富士、赛米控等厂商主导，而英飞凌作为行业的一哥，其功率半导体技术已经发展到了第七代，达到IGBT 7，175℃的过载结温，dv/dt可控，相比IGBT4损耗降低20%。那么，此次赛晶发布的IGBT产品在业内处于什么水平呢？
根据赛晶SwissSEM技术官的描述，目前正在研发的1200V i20 IGBT通过正面精细沟槽栅和背面激光退火缓冲层与阳极,实现了超薄N型衬底，而且先进的3D结构和P+设计，带来较低损耗，性能上达到英飞凌的IGBT 4和IGBT 5之间。
实际上，赛晶早在4年前就开始布局IGBT，而今年6月生产基地落地浙江嘉兴。该项目规划建设2条IGBT芯片背面工艺生产线、5条IGBT模块封装测试生产线，建成后年产能达200万件IGBT模块产品。
从半年报可以看出，集团实现收入人民币6.88亿元，同比增加9.6%。收入增加主要由于特高压直流输电和柔性直流输电项目收入增加所致。由于新能源发电、电动汽车等领域的发展，IGBT未来的增长空间巨大。因此，赛晶电力电子更名“赛晶科技”，大力发展IGBT。
在下游行业中，不管是变频器、变流器，还是逆变器，以及其它光伏、风电、电动汽车、高铁以及家用变频电器产品，都离不开IGBT器件，而近年来，光伏发电、风力发电发展快速，汽车电气化前景光明，但核心功率器件IGBT仍是依赖进口。
此前不久，国家发改委、科技部等四部门联合发布《关于扩大战略性新兴产业投资培育壮大新增长点增长极的指导意见》指出要加快新能源产业跨越式发展。聚焦新能源装备制造“卡脖子”问题，加快主轴承、IGBT、
控制系统、高压直流海底电缆等核心技术部件研发。
此次赛晶推出自主研发的IGBT产品，将进一步推进国产代替进口的进程。目前国内已经形成了一批实力不凡的本土厂商，例如斯达半导体，其IGBT销售位居全球前十。此外，从比亚迪拆分出来的比亚迪半导体公司，正在冲刺上市，其IGBT已经大量用于汽车行业。还有，中车时代电气在高压IGBT芯片制造技术上实现了超越。
总的来说，绿色环保的趋势推动了新能源的发展，而在政策和市场的双重驱动下，光伏、风电、电动汽车等领域迎来了较大的发展机会，以及各行业的节能保护等需求，将给IGBT带来前所未有的机会。