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李智:市场结构改善促进中芯国际业绩攀升

发布时间:2016-01-07 来源:中国自动化网 类型:人物专访 人浏览
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中芯国际 李智

导  读:

李智表示,中芯国际正在稳步推进制造工艺的进步,从90纳米、65/55纳米、40纳米,一直推进到现在量产的28纳米。

在近日召开的“第十三届中国国际半导体博览会暨高峰论坛(IC China 2015)·首届中国半导体产业链高端访谈”上,中芯国际执行副总裁李智就工业4.0给集成电路带来的机会,中芯国际在工艺技术的开发策略,以及未来市场情况和28nm的量产情况等话题发表了意见。

随着《中国制造2025》发展规划的发布,工业半导体成为今年行业热点。针对智能制造给集成电路产业带来的机遇与挑战,李智指出,去年国家发布了《国家集成电路产业发展推进纲要》,其中设置的2020年、2030年的阶段性发展目标,与《中国制造2025》是相互吻合的。核心都是要将中国的制造业,包括集成电路,做大做强。对于集成电路产业来说,智能制造的发展给我们带来了很多机遇。首先,从我们自身来看,12英寸工厂就是高度自动化与智能化的,本身就体现了智能化给制造业带来的制造能力提升,印证了工业4.0、中国制造2025给制造业带来的良好图景。其次,制造企业在智能化升级改造过程中,将会用到大量处理器、传感器、通信芯片等。一旦释放出来,将是一个巨大的市场。现在中芯国际代工生产出的产品,主要为消费类和通讯类产品,占公司全部出货量的超过90%。智能制造的发展,将使工业类半导体需求扩大,这对改善中国集成电路制造业的产品结构是一个有利的促进。

2015年下半年以来,国际集成电路市场趋冷,外界十分关注中芯国际的经营业绩情况。对此,李智表示,11月11日中芯国际发布了第三季度财报,业绩逆势成长。这一方面是得益于我们的高产能利用率,这两个季度利用率都在100%之上,第二季度是102%。另一方面是新工艺技术的开发给我们带来了应有的收益。例如我们今年量产了两款背照式CMOS图像传感器(CIS-BSI)产品,这是基于中芯自主开发的0.13微米CIS-BIS技术平台,能够提供与业内先进技术相媲美的良好性能。再如95 ULL SPOCULL,相比较传统的0.13LL技术,可以使逻辑芯片集成度上升一倍,使SRAM芯片集成度上升两倍,非常适用于超低功耗单片机、高性能模拟、射频电路和其他物联网相关的应用。在先进工艺方面,我们的28纳米工艺已经实现量产,未来对营收的贡献会持续增加。此外,中国市场的蓬勃兴盛,产业链的共荣也促进了中芯国际业绩的攀升。来自中国区的营收持续增长,在第三季度占到了47.9%,超过了北美洲和欧亚地区。

随着中芯国际28纳米工艺实现量产,业界对其未来技术发展的规划十分重视。对此,李智表示,中芯国际正在稳步推进制造工艺的进步,从90纳米、65/55纳米、40纳米,一直推进到现在量产的28纳米。今年6月,中芯国际与IMEC、高通、华为共同成立集成电路新技术研发公司,主要面向14纳米及以下工艺技术的研发。除了不断追赶摩尔定律的迈进脚步之外,中芯国际也不断针对成熟工艺进行技术创新。比如刚才提到的CIS-BSI技术,就是对成熟工艺进行新的扩展。中芯国际始终在坚持两条腿走路,一方面不断追赶世界上最先进的工艺技术节点,另一方面是在现有工艺基础上不断进行扩展,以满足客户的要求。

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