台积电日前表示，已经顺利使用浸润式曝影(immersion lithography)机台产出90纳米芯片，并且通过功能验证，意谓着浸润式曝影制程技术在不久之后即可进入量产阶段。台积店已于今年12月1日的日本半导体展(Japan Semicon)中，在Cymer公司举办的微影技术研讨会上，以主题演讲方式率先发表此项成果。
台积电表示，我们成功使用浸润式曝影技术产出90纳米芯片，主要的制程步骤都在公司内部完成，唯有其中一层光罩的曝光、显影曾送至荷兰的ASML公司，借用其浸润式曝影扫描原型机台进行作业。芯片在此一步骤中区分成两组，分别以浸润式及干式曝影机台完成曝光和经过显影后，再送回台积电完成后续制程。
这批90纳米芯片的功能验证结果显示：在良率、组件电性以及芯片缺陷密度方面，采用浸润式及干式曝影的两组芯片都达到相似的水准。唯独在聚焦深度(depth of focus)方面，采用浸润式曝影的一组芯片几乎比采用干式曝影的好上一倍。
台积电还指出，我们已经证实浸润式曝影技术及机台有潜力被用来生产比90纳米更新世代的芯片，制程最佳化的努力仍需继续。这当中最重要的发现是浸润式曝影较干式曝影具备更好的聚焦深度，可以得到较先前预期更好的曝光显影良率，这一结果在65纳米制程上，有望有更显著的效益。
台积电的第一部65纳米制程浸润式微影机台，已于今年11月起在晶圆十二厂装设，目前仍在评估是否于65纳米制程即开始为客户进行量产，至于45纳米制程则已确定采用此新技术。