桥半导体公司（Cambridge Semiconductor，CamSemi）日前开发成功了不需改变元件面积即可将耐压提高至20倍的IGBT（绝缘栅双极晶体管）。在2004年12月13日于美国旧金山召开的“2004年国际电子器件大会（2004 IEEE International Electron Devices Meeting，2004 IEDM）”上做了技术发表。
CamSemi公司开发的IGBT在结构上利用蚀刻法去除了栅极与漏极之间的底板部分。通过去除底板部分，将普通结构下仅30V的耐压值提高到了700V。电流密度为3倍于过去的30A/cm2，650V下的开关速度则达到了5倍于过去的500kHz。该公司试制了将这种新IGBT与驱动电路和控制电路进行单芯片集成的IC。具体的产品计划没有公布，据称将主要面向以低成本为特色的、耗电量200W以下的设备的电源转换用途。