型号:FDP52N20
类别:分离式半导体产品
FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点:标准型
漏极至源极电压(Vdss):200V
电流 - 连续漏极(Id) 25° C:52A
封装图片
Id 时的 Vgs(th)(最大):5V 250µA
闸电荷(Qg) Vgs:63nC 10V
功率 - 最大:357W
安装类型:通孔
封装/外壳:TO-220-3 (直引线)
包装:管件
CR6202
EL817B
EL817C
FAN6862TY
FGL40N120ANDTU
FGL40N120ANDTU
FL7730MY_F116
FL7732M
FL7732M-F116
FL7732M-F116
FSAV433MTCX
FSBB20CH60C
FSBB30CH60C
FSEZ1216NY
LM339N
MM74HC125N
OCS2596-ADJ
SK16
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