产品图片CM300DY-24A
标准包1
类别半导体模块
家庭IGBTs
系列IGBTMOD?
IGBT类型——
配置半桥
电压-收集器发射器的破裂(Max)1200 V
压()(最高)@、联盟Ic 3 V @ 15伏特,300个
当前,收集器(Ic)300(最高)
截止目前,收集器(最高)1马
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输入电容(类型)@压47 nF @ 10伏特
权力- Max 1890 W
输入标准
热敏电阻没有
装式底盘挂载
日本三菱电力电子(Mitsubishi)第5代IGBT模块日本三菱A系列IGBT模块选择表
模块结构 Vces(V) Ic (A)
100A 150A 200A 300A 400A 600A
一单元 1200V . . . . CM400HA-24A CM600HA-24A
两单元 1200V CM100DY-24A CM150DY-24A CM200DY-24A CM300DY-24A CM400DY-24A CM600DY-24A
特征:
采用最新的CSTBT硅片技术
* 低饱和压降Vce(sat)；低开通损耗Eon；低关断损耗Eoff
* 高短路承受力（不需要RTC）
* 降低栅极电容，栅极驱动功率接近平板型IGBT
采用AlN绝缘基层形成优异的热阻特性，比欧洲的沟槽型IGBT具有更低的热阻
比欧洲的沟槽型IGBT具有更低的成本结构
按IEC747-15标准定义温度和热阻
目标: 低成本设计，适合中、低端变频器产品设计