MOSFET的原意是：MOS（Metal Oxide Semiconductor金属氧化物半导体），FET（Field
Effect Transistor场效应晶体管），即以金属层（M）的栅极隔着氧化层（O）利用电场的
效应来控制半导体（S）的场效应晶体管。
功率场效应晶体管也分为结型和绝缘栅型,但通常主要指绝缘栅型中的MOS型（Metal
Oxide Semiconductor FET）,简称功率MOSFET（Power MOSFET）。结型功率场效应晶体管
一般称作静电感应晶体管（Static Induction Transistor--SIT）。其特点是用栅极电压来
控制漏极电流，驱动电路简单，需要的驱动功率小，开关速度快，工作频率高，热稳定性优
于GTR，但其电流容量小，耐压低，一般只适用于功率不超过10kW的电力电子装置。
BF1005E6327
BF1009SE6327
BF1009SRE6327
BF799WE6327
BFG193E6433
BFN18E6327
BFP181E7764
BFP182E7764
BFP182WE6327
BFP193E6327
BFP193WE6327
BFP196E6327
BFP196WE6327
BFP405FE6327
BFP405E6327
BFR181E6327
BFR181WE6327
BFR181TE6327
BFR183WE6327
BFR183E6327
BFR92PE6327
BFR92WE6327
BFR93AWE6327
BFR93AE6327
BFS480E6327
BGA420E6327
BGA622E6820
BGA622L7E6327
BGA622E6327
BSP297L6327
BSP297E6327
BSP60E6433
BSP603S2L
BSP89L6327
BSP89E6327
BSP92PL6327
BSP92PE6327
BSS806NL6327
IPD13N03LAG

BFP405E6327
制造商:  Infineon   
 
产品种类:  Bipolar Small Signal   
 
RoHS:   详细信息  
 
晶体管极性:  NPN   
 
封装 / 箱体:  SOT-343   
 
直流电流增益 hFE 最小值:  60   
 
集电极—发射极最大电压 VCEO:  4.5 V   
 
发射极 - 基极电压 VEBO:  1.5 V   
 
集电极连续电流:  12 mA   
 
功率耗散:  55 mW   
 
最大工作温度:  + 150 C   
 
封装:  Reel   
 
电流增益带宽 fT:  25 GHz  
 
安装风格:  SMD/SMT