1)RB501V-40
最大額定值 (Ta=25oC) ROHM Semiconductor
Rated parameters Standard value Conditions
Repetitive peak reverse voltage VRM(V) 45
Reverse voltage(DC) VR(V) 40
Average rectified forward current IO(A) 0.1
Forward current surge peak IFSM(A) 1 60Hz/1cyc
Junction temperature Tj(oC) 125
Storage temperature Tstg(oC) -40 to +125
2)DTC143ZMT2L
制造商: ROHM Semiconductor
产品种类: 数字晶体管
RoHS: 详细信息
晶体管极性: NPN
典型输入电阻器: 4.7 kOhms
典型电阻器比率: 10
封装 / 箱体: VMT-3
直流电流增益 hFE 最小值: 80
集电极—发射极最大电压 VCEO: 50 V
集电极连续电流: 100 mA
峰值直流集电极电流: 100 mA
功率耗散: 150 mW
封装: Reel
电流增益带宽 fT: 250 MHz
安装风格: SMD/SMT
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