中国碳化硅市场在2023年迎来了变局。我国SiC企业在不断发展中逐渐打入国际供应链，国内碳化硅市场发展亦持续火热。
英飞凌与天科合达、天岳先进宣布“牵手”合作，两家国内厂商将为英飞凌供应6英寸SiC材料；
三安光电和意法半导体共同宣布，将斥资50亿美元在重庆建立一座8英寸SiC衬底厂，据意法半导体的估算，到2030年该厂将帮助意法半导体实现50亿美元的SiC营收；
中电化合物也宣布与韩国Power Master签订了长期供应8英寸在内的碳化硅材料的协议，公司预计未来3年碳化硅产能将达到8万片。
此外，天岳先进近日公布了其8英寸碳化硅衬底最新技术、晶盛机电表示已成功研发出具有国际先进水平的8英寸单片式碳化硅外延生长设备、合盛硅业披露其8英寸碳化硅衬底已经实现了量产、广东芯粤能半导体表示今年年底前完成月产一万片6英寸碳化硅晶圆芯片的产能建设...
头部企业率先打入国际供应链
碳化硅市场的竞争已席卷全球，而中国庞大的市场是兵家必争之地。近几年，随着光伏、新能源汽车的发展，中国在整个新能源产业中占据着举足轻重的地位。而近期宣布的几大合作案例也印证了国内碳化硅企业正逐步得到国际客户的认可。
01、三安光电x意法半导体
6月7日，三安光电和意法半导体宣布，将斥资50亿美元在重庆建立一座8英寸SiC衬底厂，根据意法半导体的估算，到2030年该厂将帮助意法半导体实现50亿美元的SiC营收，作为对比，2022财年，Wolfspeed的营收为7.462亿美元，同比增长42%。
据了解，该合资项目公司将由三安光电控股，暂定名为“三安意法半导体(重庆)有限公司”，其中由三安光电全资子公司湖南三安持股51%，意法半导体（中国）投资有限公司持股49%。项目预计投资总额达32亿美元，计划于2025年第四季度开始生产，预计将于2028年全面落成，届时将采用意法半导体的碳化硅专利制造工艺技术，达产后可生产8英寸碳化硅晶圆1万片/周。三安光电独资在重庆设立8英寸碳化硅衬底工厂计划投资约70亿元，将利用自有的碳化硅衬底工艺单独建立和运营，以满足合资工厂的衬底需求，并与其签订长期供应协议。
02、英飞凌与天科合达、天岳先进
无独有偶，英飞凌与天科合达、天岳先进在今年5月宣布合作，两家国内厂商将为英飞凌供应6英寸SiC材料。
北京天科合达的“第三代半导体碳化硅衬底产业化基地”上榜《北京市2022年重点工程计划》，其产业化基地建设（二期）项目位列《北京市2023年重点工程计划》新建项目名单，为扩产项目。据其官方消息，第三代半导体碳化硅衬底产业化基地项目位于大兴区，总投资约9.5亿元，新建一条400台/套碳化硅单晶生长炉及其配套切、磨、抛加工设备的碳化硅衬底生产线，建成后可年产碳化硅衬底12万片。
近期，天科合达宣布将为英飞凌供应用于生产SiC半导体的6英寸碳化硅材料，其供应量占到英飞凌未来长期预测需求的两位数份额，并助力英飞凌向200毫米（8英寸）直径晶圆的过渡。
上海天岳半导体产业基地于2021年8月在上海临港开工，该项目建设单位上海天岳半导体材料有限公司为山东天岳先进的全资子公司。此前公开消息显示，上海天岳建设“碳化硅半导体材料项目”总投资25亿元，在达产年，形成年产导电型碳化硅晶锭2.6万块，对应衬底产品30万片的生产能力。
今年5月初，天岳先进与英飞凌签订了一项新的衬底和晶棒供应协议。根据协议，天岳先进将为英飞凌供应用于制造碳化硅半导体的高质量并且有竞争力的6英寸碳化硅衬底和晶棒，第一阶段将侧重于6英寸碳化硅材料，但天岳先进也将助力英飞凌向8英寸直径碳化硅晶圆过渡。、
03、中电化合物与Power Master
近日，中电化合物也宣布与韩国Power Master签订了长期供应8英寸在内的碳化硅材料的协议，公司预计未来3年碳化硅产能将达到8万片。
公开资料显示，中电化合物成立于2019年，是由中国电子信息产业集团有限公司（央企）旗下华大半导体有限公司主导投资的一家致力于开发、生产宽禁带半导体材料的高科技企业。公司已在杭州湾新区数字经济产业园建成含百级超净车间现材料生产线，正式向国内外市场供应商业化SiC和GaN材料，产品通过了车规级的验证。此前，中电化合物半导体表示其扩产项目计划于今年9月完成厂房装修并投产。
破局：迈向8英寸时代
据全球半导体观察统计，今年上半年国内已有50多个SiC相关项目取得新进展，包括签约落地、新建扩产等。总体来看，我国碳化硅产线的建设方面以面向新能源汽领域为主，其中约八成以6英寸为主力。
但值得注意的是，我国已有部分头部企业开始抢入到8英寸建设中。近日，天岳先进公布了其8英寸碳化硅衬底最新技术，晶盛机电也于近日表示其成功研发出具有国际先进水平的8英寸单片式碳化硅外延生长设备，盛美上海并今年上半年宣布首次获得Ultra C SiC碳化硅衬底清洗设备的采购订单，该设备兼容6英寸和8英寸，合盛硅业披露其8英寸碳化硅衬底已经实现了量产。
TrendForce集邦咨询分析师龚瑞骄表示：“目前碳化硅产业以6英寸为主流，占据近80%市场份额，8英寸则不到1％。8英寸的晶圆尺寸扩展，是进一步降低碳化硅器件成本的关键。”
根据TrendForce集邦咨询此前的调研显示，若达到成熟阶段，8英寸单片的售价约为6英寸的1.5倍，且8英寸能够生产的晶粒数约为6英寸SiC晶圆的1.8倍，晶圆利用率显著提高。
此前对国内主流SiC企业的8英寸衬底进度进行了统计，目前国内有10家企业和机构在研发8英寸衬底，包含烁科晶体、晶盛机电、天岳先进、南砂晶圆、同光股份、中科院物理所、山东大学、天科合达、科友半导体、乾晶半导体等。其中烁科晶体、天科合达以及晶盛机电相对来说进度比较快。
而从国外情况看，Wolfspeed、ROHM、英飞凌、ST等国际碳化硅大厂已经纷纷迈入8英寸，这些厂商的量产节点也纷纷提前到今年。值得一提的是，前文所述意法和三安光电的合作主要集中在8英寸，英飞凌与两家国产SiC企业签订长约也表明未来将向8英寸进发。这有助于我国在碳化硅进展上加速赶上国际步伐。
8英寸是国内外厂家都想迅速攻下的堡垒，但良率问题始终是一座跨不过的大山。龚瑞骄表示：“目前6英寸SiC衬底国内的良率大概有40%，海外大概60~70%，在8英寸方面，近年来国际大厂积极推进8英寸产线建设，现阶段仅Wolfspeed一家步入量产，且实际进展并不如预期。”
总体来看，提升良率是降低成本的关键，同时也是SiC继续大规模铺开的关键。提升良率一方面依赖技术创新与技术沉淀，另一方面，在扩大产能之下，可以通过学习曲线和规模优势，达到快速降低平均成本的目的。所以目前各大SiC企业积极扩产，一方面可以扩大市场份额，另一方面也可以提升良率，从而将价格下探。