东莞是中国制造业的一个样本区域。当地一名从事外贸业务的管理人员称，东莞的外资撤离和企业倒闭从2008年开始出现，今年情况尤其不好，以前是加工企业搬到内陆省份，现在开始搬到越南和东南亚。
东莞一名不愿透露姓名的制造业内人士近期告诉网易财经，其近几年在东莞收购二手设备，都是日立、松下等知名企业的，原本要三四万元的机器一千块就收下来了，堆满了仓库;总价值两个亿的注塑机一千多万就会卖，原因就是倒闭和搬走的企业太多了。
东莞台商协会会长翟所领去年接受媒体采访时称，东莞台商现在的情况比2008年金融海啸时更为严重，各个工厂都用工不足，几乎每个工厂都缺工30%，2008年至今，20%左右的台商撤离了东莞。
不过，商务部日前在驳斥“外资撤离”说法时提供的FDI数据显示，1月我国实际使用外资金额139.2亿美元，同比增长近三成。单从这些数据上确实看不出来外资在大规模撤退的迹象，但传统制造业上的外资萎缩是每个相关者切实可感的。
商务部国际贸易经济合作研究院研究员王志乐3月22日向网易财经解释，从总体数据上来看，外资撤离的迹象确实不明显，但是这些撤走的外资主要是集中在成本导向的企业。
外资在成本导向产业的撤离和大规模裁员，一方面是因为不景气的宏观形势下企业需求萎缩，另一个同样明显的因素则是，制造业转型升级，更高效率的智能制造取代粗放生产的过程中释放出了低级人工成本。
全球范围内制造业调整外企制定新一轮在华战略
在研究人士看来，外资在中国市场战略布局进行调整的原因是显而易见的。资本逐利，劳动力和土地价格的骤升，“超国民待遇”下的优惠政策的退出都在导致企业经营成本上升，利润率下降。
发达国家为了解决就业等问题提出的再工业化战略，以及印度和东南亚等国家提供的更为低廉的经营成本等优势，都促使外企将中国市场上的生产线迁出。
据美国国会研究服务机构统计，从2000年到2013年，中国工资平均每年增长11.4%。本世纪初，中国工人的工资只有墨西哥工人的30.2%，而2013年，中国工人的月工资已经比墨西哥工人高出50.5%，比越南工人高出168%。
一位装备制造业分析人士向网易财经补充道，本土企业在低端制造业上开始走向成熟，他们对低利润率比外企有更高的容忍度，这也是外资加速撤离低端制造的一个重要原因。
机械工业信息研究院战略与规划研究所的研究人员石勇向网易财经称，中国的民营企业在制造业的诸多领域的发展确实给外企形成一些压力，我们能够提供比他们价格低得多的产品，但是质量远跟不上。
另外还有很多领域是本土企业无法做到的，石勇随便举了一个案例，“奥迪汽车安全带上的扣，虽然是十分小的一个部件，但是这个本土企业就是无法生产。”
不过王志乐也对网易财经表示，那些在华市场有巨大需求的生产企业其实并没有外逃的迹象，“我同那些企业聊过，他们也并没有撤走的打算”。
中国作为世界最庞大的消费市场，外资企业自然不会彻底撤离和放弃。那么从低端制造领域退出后，接下来，他们又在下一盘怎样的棋?可以这样说，成本导向的低端制造业开始转移至成本更低的区域，而高端领域正迎来越来越多的外资布局，王志乐认为这是制造业在全球范围内调整。
查询近年来的数据 可发现，FDI月度规模基本稳定在100亿-150亿美元，但结构在发生变化，高端制造业和金融服务业吸收外资金额逐年加大，尤其是交通运输设备行业和通信计算机行业吸收外资步伐明显加快。
这种“全球范围内的制造业调整”微观上也体现在外资企业的战略转型上。楼氏电子是世界声学设备制造巨头，于1996年开始进驻中国在苏州建立第一家工厂，该公司早在2013年底就称，公司正在进行内部结构调整，劳动力密集型的助听器生产线将转移至菲律宾，一条先进的陶瓷电容器生产线将从英国转移过来，并且加大在中国市场的研发投资。
楼氏电子中国区副总裁陆文杰表示，目前的中国工人将在培训后从事技术含量更高的工作，他们正在加大对中国的投资，楼氏电子的一部分研发工作已经开始布局在苏州了，楼氏电子苏州有限公司研发部高级经理蒯军说，中国的工程师有成本优势，对公司来说性价比更高。
而在医药行业，几乎所有的外资医药巨头在过去几年中都增加了在中国市场的研发投入，大手笔投入在中国设立研发中心。外资医药企业在中国的联盟机构RDPAC日前提供给网易财经的一份制作于2012年的调查报告显示，在过去的10年间，RAPDC的成员在中国的研发中心从7个增加到30个，直接创造了约3000个高端研发岗位。
该报告称，RDPAC成员在中国的研发创新投入正在大幅度提高，目前总投入水平已达到每年80亿元，这个数据超过中国所有大中型医药企业一年研发支出总投入的一半，并且是中国政府为本土骨干企业制定的研发投入目标的2倍。
而韩国三星集团在给网易财经的邮件回复中称，其在中国市场的战略正是扩大对尖端技术装备产业的投资，加强研发，向中西部、东北部、中小城市扩大业务。三星在陕西西安投资70亿美元建立的半导体工厂已于去年5月投产，该工厂将生产世界上最新型的10纳米级闪存芯片。
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