长期以来，全球IGBT技术，尤其是6英寸以上大功率IGBT关键技术及产品，被日本三菱、东芝、瑞士ABB、德国英飞凌等少数大公司垄断。但是这一技术垄断将会被打破。近日，南车株洲电力机车研究所有限公司传来消息，8英寸IGBT生产线项目年内就可建成投产。
“南车株洲所”凭借雄厚的技术实力，成功攻克技术难关，相继研制出6英寸、8英寸IGBT产品，形成了设计、研制、系统应用等成套技术，在打破国外技术垄断的同时，填补了国内在这一高新技术产业领域的空白。
2011年5月，“南车株洲所”8英寸IGBT生产线项目奠基建设，这是全国首条该尺寸IGBT生产线。建成投产后，将形成年产12万片8英对lGBT芯片和100万只大功率新型半导体器件生产能力，年产值超20亿元，成为我国规模最大的IGBT产业基地。
目前，项目厂房建设、基础工程、工艺设备等方面，正在快速推进。
IGBT是一种新型功率半导体器件，具有驱动功率小、开关损耗低、工作频率高、电流密度大等优点，广泛应用于轨道交通、航空航天、新能源电动汽车、高压变频及电力传输等重要行业和领域。
