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轨道交通用3300V等级IGBT芯片研制成功

发布时间:2013-01-10 来源:中国自动化网 类型:行业资讯 人浏览
关键字:

IGBT芯片技术

导  读:

中国工程院院士刘友梅等专家对此高度评价,认为该项目填补了国内高压大功率IGBT芯片技术的空白。

  中国南车旗下的株洲南车时代电气股份有限公司完成的“轨道交通用3300V等级IGBT芯片研制及其应用”项目21日在长沙通过由湖南省科技厅组织的专家组鉴定。中国工程院院士刘友梅等专家对此高度评价,认为该项目填补了国内高压大功率IGBT芯片技术的空白。


  该项目在芯片设计、芯片工艺和芯片封装测试、试验及应用考核方面符合国际最新的产品技术标准,适应国内轨道交通复杂的运营环境要求,现场装车运营表现优异,代表轨道交通用该电压等级IGBT器件技术的最高水平,大大缩短了中国高压IGBT芯片技术与国际先进水平的差距,为真正构建IGBT芯片—模块—装置—系统应用的完整产业链,实现重大民族装备自主掌握,突破了关键节点,具有良好的市场前景和应用价值。


  株洲南车时代电气股份有限公司副总经理、总工刘可安介绍,由于中国IGBT器件技术及产业化发展较晚,加之技术门槛难度之高、投入之大,目前中国市场的IGBT产品基本依赖进口,国内有数家从事中小功率IGBT产品组装企业,且未形成产业规模,在大功率IGBT模块封装技术上,也只有包括中国南车在内的少数企业所掌握,而在高压IGBT芯片技术及后期系统运用上,国内仅有中国南车独家掌握。


  据了解,近年来,中国南车通过收购英国丹尼克斯半导体公司、在英国成立功率半导体海外研发中心、建立国内第一条IGBT模块封装线和国内第一条8英寸的IGBT芯片生产基地等举措,在国家“高压IGBT元件研制”等重大专项政策支持下,掌握电压等级从1200伏到6500伏不等的5种IGBT芯片及模块封装、测试、应用技术,并已成功在国内城市轨道车辆、大功率交流传动电力机车上实现装车运营。


  当天,经过认真的研究、谈论,鉴定委员会一致认为,该项目成果达到国际先进水平,实现了具有自主知识产权3300V等级IGBT芯片的突破,填补了国内高压大功率IGBT芯片技术的空白,并已在轨道交通领域批量应用,同意通过科技成果鉴定。同时,鉴定委员会建议尽快形成系列化产品,并推广应用到其他领域。


  据介绍,作为轨道交通牵引主流器件,3300伏等级的IGBT器件在大功率电力机车、城市轨道交通领域具有广泛的应用前景,预计未来十年中国轨道交通牵引市场每年对3300伏等级的IGBT模块需求量为10到20万只/年,市场前景非常可观。


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