爱普生晶振,有源晶振,SG5032CCN晶振,5032mm体积的石英晶体振荡器有源晶振,改产品可驱动2.5V的温补晶振,压控晶振,VC-TCXO晶体振荡器产品,电源电压的低电耗型,编带包装方式,可对应自动高速贴片机自动焊接,及IR回流焊接（无铅对应）,为无铅产品,超小型,质地轻.产品被广泛应用到集成电路,程控交换系统,无线发射基站.
贴片晶振的真空封装技术：是指石英晶振在真空封装区域内进行封装。1.防止外界气体进入组件体内受到污染和增加应力的产生；2.使陶瓷晶振组件在真空下电阻减小；3.气密性高。此技术为研发及生产超小型、超薄型石英晶振必须攻克的关键技术之一
|
项目
|
符号
|
规格说明
|
条件
|
|
输出频率范围
|
f0
|
2.5-50MHZ
|
请联系我们以便获取其它可用频率的相关信息
|
|
电源电压
|
VCC
|
4.5-5.5V
|
请联系我们以了解更多相关信息
|
|
储存温度
|
T_stg
|
-40℃ to +125℃
|
裸存
|
|
工作温度
|
T_use
|
G: -20℃ to +70℃
|
请联系我们查看更多资料http://www.epsoncrystal.com
|
|
H: -40℃ to +85℃
|
|
|
|
频率稳定度
|
f_tol
|
J: ±50 × 10-6
|
|
|
L: ±100 × 10-6
|
|
T: ±150 × 10-6
|
|
功耗
|
ICC
|
3.5 mA Max.
|
无负载条件、最大工作频率
|
|
待机电流
|
I_std
|
3.3μA Max.
|
ST=GND
|
|
占空比
|
SYM
|
45 % to 55 %
|
50 % VCC 极, L_CMOS≦15 pF
|
|
输出电压
|
VOH
|
VCC-0.4V Min.
|
|
|
VOL
|
0.4 V Max.
|
|
|
输出负载条件
|
L_CMOS
|
50pF Max.
|
|
|
输入电压
|
VIH
|
80% VCC Max.
|
ST 终端
|
|
VIL
|
20 % VCC Max.
|
|
上升/下降时间
|
tr / tf
|
4 ns Max.
|
20 % VCC to 80 % VCC 极, L_CMOS=15 pF
|
|
振荡启动时间
|
t_str
|
3 ms Max.
|
t=0 at 90 %
|
|
频率老化
|
f_aging
|
±3 × 10-6 / year Max.
|
+25 ℃, 初年度,第一年
|
如果由频率计数器测量的频率比目标频率高，要增加石英晶振的电容（CL，或Cd以及C 8）的值，以降低频率到目标频率，反之亦然。请检查波形幅度是否改善或没有经过我们调整频率。如果它的改善，这表示该电路的原始设计不是调谐到最佳共振点为晶体的情况。该晶振应正常后，谐振点的调整。如果波形幅度甚至没有提高的频率非常接近目标频率，我们可以通过以下三种方法改进：
方法1：降低产品线路外部电容（Cd和CG）的值，并通过有源晶体具有较低负载电容（CL）。
方法2：采用小电阻（RR）的晶体。
方法3：使用镉和CG的不等价的设计。
我们可以增加镉（XOUT）的负载电容和降低CG（辛）的负载电容以提高从辛波形幅度将在其后端电路中使用的输出。我们建议您使用上面的方法来节省成本，保证安全。请用频率计数器来测量所述晶体，以确保经调整频率仍然满足原说明书后的波形的振幅进行了改进。如果频率不符合规格，请采用晶体合适的CL值为根据您的目标频率。请采用贴片晶振具有较低的CL如果频率比目标频率，反之亦然高得多系统不能正常工作，由于输出频率会偏差很大。
爱普生晶振,有源晶振,SG5032CCN晶振
在设定环保目的与目标展开活动的同时,定期重审环境管理体系,努力提高环保活动的水平。爱普生株式会社EPSON晶振通过与地区的交流及社会贡献活动，4脚SMD5032晶振为地区的环保做贡献。将环保活动的信息向公司内外公开，积极努力的与地区社会及相关人员建立信赖关系，为社会的发展做出贡献。
通过此方针的公文化，贴片晶体振荡器在向公司员工及从事本事业领域业务的所有相关人员彻底传达的同时，也向公司外部公开。爱普生晶振集团将建立可行的技术及经济性环境目标，并确保其环境保护活动的质量。
爱普生晶振,有源晶振,SG5032CCN晶振