类别：NPN-硅通用高频低噪声宽带NPN晶体管
集电极-发射极电压VCEO：15V
集电极-基极电压VCBO:20V
发射极-基极电压VEBO:2.5V
集电极直流电流IC:120mA
总耗散功率(TA=25℃)Ptot:500mW
工作结温Tj:150℃
贮存温度Tstg:-65~150℃
封装形式：SOT-23
功率特性：中功率
极性：NPN型
结构：扩散型
材料：硅(Si)
封装材料：塑料封装
电性能参数（TA=25℃）：
击穿电压:V(BR)CEO=15V,V(BR)CBO=20V,V(BR)EBO=2.5V
直流放大系数hFE: 40～250 @VCE=8V,IC=40mA
集电极-基极截止电流ICBO:100nA(最大值)
发射极-基极截止电流IEBO:100nA(最大值)
特征频率fT:9.0GHz@ VCE=8V,IC=40mA
集电极允许电流IC：0.12（A）
集电极最大允许耗散功率PT：0.5（W）
功率增益GUM：14dB@IC=40mA,VCE=8V,f=1GHz
噪声系数NF：1.3dB@IC=40mA,VCE=8V,f=1GHz
插入功率增益∣S21∣：13dB@IC=40mA,VCE=8V,f=1GHz
反馈电容Cre：0.65 pF @ IC=ic=0,VCB=6V,f=1MHz。
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