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120亿!士兰微8英寸SiC功率器件芯片制造生产线开工

发布时间:2024-06-19 来源:中自网 类型:行业资讯 人浏览
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导  读:

据厦门广电网消息,6月18日上午,士兰集宏8英寸SiC功率器件芯片制造生产线在海沧区开工。 source:士兰微该项目总投资120亿元,分两期建设,两期建成后将形成8英寸SiC功率器件芯片年产72万片的生产能力。这条生产线投产后将成为国内第一条拥有完全自主知识产权、产能规模最大的8英寸碳化硅功率器件芯片生产线。将较好满足国...,充电桩,逆变,高性能,新能源汽车,生产线

 
据厦门广电网消息,6月18日上午,士兰集宏8英寸SiC功率器件芯片制造生产线在海沧区开工。

 

source:士兰微


该项目总投资120亿元,分两期建设,两期建成后将形成8英寸SiC功率器件芯片年产72万片的生产能力。这条生产线投产后将成为国内第一条拥有完全自主知识产权、产能规模最大的8英寸碳化硅功率器件芯片生产线。将较好满足国内新能源汽车所需的碳化硅芯片需求,并有能力向光伏、储能、充电桩等功率逆变产品提供高性能的碳化硅芯片,同时促进国内8吋碳化硅衬底及相关工艺装备的协同发展。

此次士兰集宏8英寸制造生产项目是继士兰集科“12英寸特色工艺芯片生产线”和士兰明镓“先进化合物半导体器件生产线”两个重要项目后,士兰微电子落地厦门海沧的第三个重要项目。

 

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