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晶升股份8英寸SiC设备已通过验证

发布时间:2024-01-08 来源:中自网 类型:行业资讯 人浏览
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导  读:

1月5日,晶升股份公布投资者关系活动记录表,介绍了公司碳化硅(SiC)长晶设备的价格及研发进展。据介绍,晶升股份8英寸SiC长晶设备目前进展顺利,已通过了客户处的批量验证。价格方面,6英寸SiC长晶设备已大批量出货,价格趋于稳定,相对较低;8英寸SiC长晶设备根据不同设计和配置,价格比6英寸设备高30%至50%左右。衬底作...,系统,展览会,控制,控制,SiC

 
1月5日,晶升股份公布投资者关系活动记录表,介绍了公司碳化硅(SiC)长晶设备的价格及研发进展。据介绍,晶升股份8英寸SiC长晶设备目前进展顺利,已通过了客户处的批量验证。价格方面,6英寸SiC长晶设备已大批量出货,价格趋于稳定,相对较低;8英寸SiC长晶设备根据不同设计和配置,价格比6英寸设备高30%至50%左右。

衬底作为SiC产业链中价值量最高的一环,目前正在朝着8英寸的方向发展。而“兵马未动,粮草先行”,设备企业也在不断更新换代,8英寸SiC设备新动态频传。

source:晶升股份

晶盛机电于2023年6月宣布成功研发出具有国际先进水平的8英寸单片式SiC外延生长设备。据介绍,该设备可兼容6/8英寸SiC外延生产,在6英寸外延设备原有的温度高精度闭环控制、工艺气体精确分流控制等技术基础上,解决了腔体设计中的温场均匀性、流场均匀性等控制难题,实现了成熟稳定的8英寸碳化硅外延工艺。

特思迪8英寸SiC全自动减薄设备已投入市场、8英寸双面抛光设备已通过工艺测试进入量产阶段。2023年12月,特思迪完成B轮融资,所获资金将进一步推动公司在技术突破、产能扩充、产品研发、产业布局、人才引进等关键环节的发展进程,加快8英寸SiC等半导体材料磨抛设备的国产化。

电科装备在2023上海国际半导体展览会上发布了最新研制的8英寸SiC外延设备。该设备有三个突破性的指标,分别是采用该设备生产的8英寸生长厚度均匀性小于1.5%、掺杂浓度均匀性小于4%、表面致命缺陷小于0.4个/c㎡。纳设智能在2023年8月宣布成功研制出8英寸SiC外延设备。该设备具备独特反应腔室设计、可独立控制的多区进气方式以及智能的控制系统,将更好地提高外延片的均匀性,降低外延缺陷及生产中的耗材成本。

 

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