今年3月，一场收购案迅速登上氮化镓（GaN）领域头条，因为主角是多年蝉联全球功率半导体市场占有率第一的英飞凌。几个月过去，这场收购案迎来了结局。
10月25日，英飞凌官微指出，英飞凌科技于2023年10月24日宣布完成收购氮化镓系统公司（GaN Systems，以下同）。该交易已获得所有必要的监管部门审批，交易结束后，GaN Systems已正式成为英飞凌的组成部分，并为英飞凌带来了丰富的氮化镓 (GaN) 功率转换解决方案产品组合和领先的应用技术。
市场竞争力再上一层楼
2023年3月2日，英飞凌和GaN Systems联合宣布，双方就已签署最终协议。根据该协议，英飞凌将以8.3亿美元（约合人民币60.7亿元）的价格收购 GaN Systems，此次“全现金”收购交易将使用现有的流动资金来完成。
英飞凌原本的业务重心以碳化硅（SiC）为主，通过收购GaN Systems将进一步完善其第三代半导体领域的业务版图。资料显示，GaN Systems成立于2008年，是一家第三代半导体无晶圆设计公司，主营业务是开发基于氮化镓的功率芯片和功率转换解决方案。该公司于2021年在美国纳斯达克上市，其总部位于加拿大渥太华，现拥有200多名员工。
英飞凌科技首席执行官Jochen Hanebeck表示，氮化镓技术为打造更加低碳节能的解决方案扫清了障碍，有助于推动低碳化进程。收购GaN Systems将显著推进公司的氮化镓技术路线图，并让公司同时拥有所有主要的功率半导体技术，进一步增强英飞凌在功率系统领域的领导地位。
此前据TrendForce集邦咨询分析指出，按照2022年的营收来看，GaN功率器件前六大供应商分别是PI、Navitas、英诺赛科、EPC公司、GaN Systems、Transphorm。未来，英飞凌加上GaN Systems的市场份额有可能将继续扩大。
此外，英飞凌表示，目前，英飞凌共有450名氮化镓技术专家和超过350个氮化镓技术专利族，这进一步扩大了英飞凌在功率半导体领域的领先优势，并将大幅缩短新产品上市周期。
氮化镓应用不断扩大
氮化镓（GaN）是第三代半导体的主要代表材料之一，凭借宽禁带、高频率、低损耗、抗辐射强等特性优势，氮化镓可以满足各种应用场景对高效率、低能耗、高性价比的要求，可广泛应用于LED、激光器、太阳能电池、无线通讯、快充、工业和汽车等领域。
从特性上看，氮化镓的禁带宽度为3.4eV，大于GaAs（1.424eV）和SiC（3.3eV），这使得GaN具有更高的击穿电压和热稳定性，使得氮化镓在高温、高频、高功率电子器件中具有更好的性能；氮化镓的电子迁移率高达2000cm²/Vs，比GaAs和Si的电子迁移率更高，使得氮化镓在高频器件中具有更高的电子速度和更低的导通损耗。
近年来，随着性能的提升，氮化镓的应用范围不断扩大，目前氮化镓的应用市场正从消费电子市场，向数据中心、可再生能源甚至新能源汽车市场扩充。英飞凌认为，未来GaN的全球使用量将会大大超过SiC，并且在多个领域取代SiC的应用，尤其是到了2030年。
据显示，到2026年，全球GaN功率元件市场规模将从2022年的1.8亿美金成长到13.3亿美金，复合增长率高达65%。
氮化镓引发一场争夺战？
氮化镓市场规模逐渐增长，未来前景可期。与此同时，强烈的需求正驱动着许多厂商争先布局，包括英飞凌、BelGaN、DB Hi-Tech、Transphorm、三星电子、英诺赛科、三安光电、赛微电子、华润微、珠海镓未来等厂商正在扩充生产线，加速部署氮化镓产品应用落地。
从近期部分厂商动态来看，英飞凌除了收购GaN Systems，还宣布斥资20亿欧元对碳化硅和氮化镓进行扩产；BelGaN通过收购Onsemi位于比利时的6英寸晶圆厂，计划将其改造成氮化镓代工厂。
瑞典公司SweGaN3月宣布正在瑞典林雪平的创新材料集群建设一个新总部，包括一个大规模的半导体生产设施，该项目计划于今年第二季度末完成，将部署创新制造工艺，以大批量生产下一代GaN-on-SiC工程外延晶圆，预计年产能将高达4万片4/6英寸外延片。
据韩国媒体《BusinessKorea 》7月报导，三星电子即将进军氮化镓 （GaN）市场，目的是为了满足汽车领域对功率半导体的需求。报导引用知情人士的说法指出，三星电子在韩国、美国举办的“2023三星晶圆代工论坛”活动宣布，将在2025年起，为消费级、资料中心和汽车应用提供8寸氮化镓晶圆代工服务。
9月，东科半导体与北京大学共同组建的第三代半导体联合研发中心正式揭牌成立。该研发中心将瞄准国家和产业发展全局的创新需求，以第三代半导体氮化镓关键核心技术和重大应用研发为核心使命，重点突破材料、器件、工艺技术瓶颈，增强东科半导体在第三代半导体技术上的创新能力和市场主导力。
同月，中国科学院深圳先进技术研究院光子信息与能源材料研究中心与深圳市纳设智能装备有限公司成立了先进材料联合实验室，推进产学研深度融合。双方除了着重于工艺和设备的合作外，联合实验室还将对其他半导体先进材料进行研究，如氮化铝、氮化镓、石墨烯等先进材料生长设备及工艺。
10月中旬，格芯宣布已获得美国提供的3500万美元联邦资金，以加速其位于佛蒙特州Essex Junction的工厂在硅半导体上制造差异化氮化镓（GaN）芯片。格芯总裁兼CEO Thomas Caulfield表示：“硅基氮化镓是新兴市场高性能射频、高压功率开关和控制应用的理想技术，对于6G无线通信、工业物联网和电动汽车非常重要。”