根据外媒报道，日本半导体巨头瑞萨电子日前宣布，将于2025年开始生产使用碳化硅 (SiC）来降低损耗的下一代功率半导体产品。按照计划，瑞萨电子拟在目前生产硅基功率半导体的群马县高崎工厂实现SiC功率器件的量产，但具体投资金额和生产规模尚未确定。
相较于传统硅半导体，SiC等第三代半导体具有更好的耐热性和耐压性，基于SiC的功率器件功耗极低，特别适用于电动汽车应用，有助于提升系统的效率，延长续航里程，降低系统成本。电动汽车以外，SiC在光伏储能等可再生能源领域也有着巨大的应用潜力。
根据《2023 SiC功率半导体市场分析报告》显示，随着Infineon、ON Semi等与汽车、能源业者合作项目明朗化，2023年整体SiC功率元件市场规模有望增长达22.8亿美元，年成长41.4%。同时，受惠于电动汽车及可再生能源等下游主要应用市场的强劲需求，2026年SiC功率元件市场规模可望达53.3亿美元。
瑞萨电子显然也洞察到了商机，虽然起步较晚，但其也对自身的能力充满信心。瑞萨电子CEO柴田英利在新闻发布会上表示，“传统的功率半导体上我们是后来者，但现在因高效率而备受推崇，SiC也可以做到。”
据悉，瑞萨电子将用于处理系统的尖端逻辑半导体的生产外包给代工厂，这些系统的开发和投资成本很高。功率半导体则在内部生产，2014年关闭的甲府工厂也将于2024年上半年重新开始运营，开始生产使用硅的功率半导体。
作为汽车半导体芯片巨头，瑞萨电子近年来大举扩产汽车功率半导体产能，日前刚宣布拟投资477亿日元在日本扩产，计划到2026年将车用半导体的产能提高10%，彰显其在该领域的野心，而量产SiC功率器件的计划也进一步表明其紧随汽车行业的发展趋势，拟把握市场新机遇，持续巩固在汽车功率半导体市场的地位。
可以预见，结合瑞萨电子在汽车功率半导体领域的规模及影响力，瑞萨电子在车用SiC领域具备更高的综合竞争力，能够缩短产品研发及上市的周期，同时兼具协同成本优势。未来，随着SiC功率器件的量产，瑞萨电子将助力SiC在电动汽车市场的推广和普及。