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浙江重点名单公布:中芯国际/长电科技/比亚迪等多个半导体项目上榜

发布时间:2023-05-18 来源:中自网 类型:行业资讯 人浏览
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导  读:

近日,浙江省发展改革委公布了2023年省重点建设项目形象进度计划。根据项目名单,此次上榜的项目共534个,总投资3.5万亿元。 据全球半导体观察不完全统计,此次共有近15个半导体产业项目上榜,涉及功率半导体、碳化硅、半导体封装、光刻材料、半导体硅片等,如杭州士兰集昕微年产36万片12英寸生产线项目、嘉兴斯达微电子高压...,IGBT,人工智能,高压,控制,半导体


 近日,浙江省发展改革委公布了2023年省重点建设项目形象进度计划。根据项目名单,此次上榜的项目共534个,总投资3.5万亿元。

 

据全球半导体观察不完全统计,此次共有近15个半导体产业项目上榜,涉及功率半导体、碳化硅、半导体封装、光刻材料、半导体硅片等,如杭州士兰集昕微年产36万片12英寸生产线项目、嘉兴斯达微电子高压特色工艺功率芯片和SiC芯片研发及产业化项目、长电集成电路(绍兴)300mm集成电路中道先进封装生产线项目、中芯绍兴二期晶圆制造项目(第一阶段)、绍兴比亚迪半导体功率器件和传感控制器件研发及产业化项目等。

 

 


 

 

 

以下为部分项目介绍:

 

士兰集昕年产36万片12英寸生产线项目

 

项目投资额:39亿元

 

计划建设内容与规模:建设年产36万片的12英寸功率半导体芯片生产线

 

项目介绍:2022年10月,士兰微披露再融资预案,将募集资金65亿元用于12英寸芯片生产线、SiC功率器件生产线和汽车半导体封装项目的建设。

 

其中,12英寸芯片生产线项目将建设形成一条年产36万片12英寸功率芯片生产线,用于生产FS-IGBT、T-DPMOSFET、SGT-MOSFET功率芯片产品;项目达产后,新增FS-IGBT功率芯片12万片/年、T-DPMOSFET功率芯片12万片/年和SGT-MOSFET功率芯片12万片/年的生产能力。

 

中芯绍兴二期晶圆制造项目(第一阶段)

 

项目投资额:110亿元

 

计划建设内容与规模:建设一条年产84万片的特色工艺集成电路生产线,工艺可达65nm。

 

项目介绍:根据此前资料,项目总建筑面积约22.8万㎡,新建生产厂房、硅烷站、动力工厂等建筑,通过拟购买设备,建设一条年产84万片的特色工艺集成电路生产线。该项目的建成,将满足8英寸硅基技术和市场的旺盛需求,进一步扩大中芯绍兴在微机电(MEMS)和功率器件的市场占有率。

 

根据规划,该项目计划2023年将实现部分建成投产。

 

嘉兴斯达高压特色工艺功率芯片和SiC芯片研发及产业化项目

 

项目投资额:20亿元

 

计划建设内容与规模:新增用地279亩,新建生产厂房、动力楼、危化仓库等建构筑物,新增建筑面积206000平方米,达产后形成年产36万片功率芯片生产能力。

 

项目介绍:2021年6月,斯达半导体募资35亿元建设4个项目,其中高压特色工艺功率芯片研发及产业化项目总投资15亿元,SiC芯片研发及产业化项目投资5亿元。

 

根据“南湖区人民政府”今年4月底发文,斯达在浙江省嘉兴市南湖区建设的高压特色工艺功率芯片和SiC芯片研发及产业化项目,目前其两幢厂房已开始调试设备,其他厂房正在等待验收,预计将于今年四季度投产,达产后将形成年产72万片功率芯片的生产能力。

 

长电(绍兴)300mm集成电路中道先进封装生产线项目

 

项目投资额:约80亿元

 

计划建设内容与规模:总用地面积522亩,总建筑面积约47.3万平方米,建设厂房、生产线等。

 

项目介绍:根据此前的资料显示,该项目建成后将成为国内最先进的封装测试基地,达产后年收入可达34亿元,产品主要面向5G通信、人工智能、高性能计算以及自动驾驶等领域,将在高端晶圆级封装领域实现技术、应用、产品的不断突破,极大地推动国内高端产业链的提升和发展。

 

根据规划,该项目计划在2023年进行设备安装调试并实现部分投产。

 

东阳华芯年产8000吨光刻材料新建项目

 

项目投资额:24.7亿元

 

计划建设内容与规模:用地214.86亩,建设面积9.89万平方米

 

项目介绍:此前的资料显示,项目规划年产8000吨光刻材料,主要包括ArF光刻胶系列(包含单体和树脂合成)、KrF光刻胶系列(包含单体和树脂合成)、半导体厚膜封装胶、半导体用光敏性聚酰亚胺(PSPI)、PCB油墨、三羟甲基丙烷、三丙烯酸酯等配套试剂。

 

该项目致力在东阳打造全产业链的智慧型的中高端半导体光刻胶生产基地。项目达产后,预计实现年主营业务收入不低于20亿元。

 

根据规划,该项目计划在2023年完成第一阶段建设、试运行。

 

广芯微6英寸高端特色硅基晶圆代工项目

 

项目投资额:24亿元

 

计划建设内容与规模:总用地148亩,建筑面积12.65万平方米,形成年产120万片6英寸高端特色硅基晶圆的生产能力。

 

项目介绍:根据项目投资方之一民德电子此前公告,项目建设全部完成投产后,可实现年产折合6英寸240万片特色工艺硅基功率半导体晶圆及年产3.6万片第三代半导体碳化硅等晶圆的生产能力,年产值达30亿元。民德电子曾透露,广芯微电子项目预计将于2023年上半年投产,

 

该项目于2月11日正式开工建设,2022年6月,浙江广芯微电子6英寸高端特色硅基晶圆代工项目封顶。根据规划,该项目计划2023年完成项目主体工程施工。

 

浙江旺荣8英寸功率器件项目

 

项目投资额:23.8亿元

 

计划建设内容与规模:总用地102亩,主要建设两条年产24万片的8英寸功率器件生产线,其中FRD芯片2.4万片/年、MOSFET芯片10.8万片/年、IGBT芯片10.8万片/年。

 

项目介绍:据“丽水经济技术开发区”此前消息,浙江旺荣8英寸功率器件项目是丽水市首个8英寸晶圆制造项目,该项目分为两期,此次封顶的是一期项目,投资约24亿元,计划2023年8月投产,实现月产2万片8英寸晶圆的生产能力。二期将在2024年中旬开工建设,两期项目总投资达50亿元,全部达成后将实现年产72万片8英寸功率器件芯片,产值达60亿元。

 

2022年8月,浙江旺荣8英寸功率器件项目正式开工动土,同年12月底,该项目正式封顶。根据规划,该项目计划2023年完成项目主体工程施工。

 

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