2014年6月17日，“上海国际电力元件、可再生能源管理展览会（PCIM Asia 2014 ）”在上海世博展览馆隆重开幕。日本半导体制造商株式会社东芝（Toshiba）旗下东芝电子（中国）有限公司携多款功率器件产品盛装参展。
在本届展会中，东芝电子着重展出了其IEGT（Injection Enhanced Gate Transistor）专利产品、Stack（压接装置）产品、SiC（混合型IEGT）产品、IPD + MCU（电机驱动方案）、MOSFET以及Coupler（光耦）产品。东芝电子（中国）有限公司技术统括部总监多田昇先生表示：“通过多款大功率核心器件的全方位展示，来集中体现东芝电子对新能源、输变电、工业变频、机车牵引等在内的整个产业链应用的卓越支持能力。”
IEGT作为东芝的专利产品独有东芝在IGBT的基础上成功研发出的“注入增强”（IE：Injection Enhanced）技术，该技术可以大幅提升高电压大电流级别的IGBT的性能。近年，东芝先后推出了针对100kW到MW级别超大功率电力转换设备应用的东芝专利IEGT产品。东芝的IEGT通过采取”注入增强结构”实现了低通态电压，使大功率电力电子器件取得了飞跃性的发展。多田昇先生表示：“IEGT采用沟槽结构和多芯片并联均流等技术，其低损耗、高速开关、高耐压、有源栅驱动智能化等特点,使其在进一步扩大电流容量方面颇具潜力。目前，东芝的IEGT已经在新能源、太阳能、风能、高压直流输电（HVDC）、牵引用特种电源等特大功率电力领域有了诸多的成功应用。”
近年来，随着电力市场项目功率等级和电压等级的不断提高，IEGT的优势逐步得到了体现和认可。为了更好的满足不同应用领域的具体需求，东芝专门推出了不同封装的IEGT产品，比如，适用于高速EMU的3.3kV PMI封装（塑料模块封装）的IEGT、适用于重型EL的4.5kV PMI封装的IEGT、适用于电力机车驱动控制系统要求尺寸小、重量轻并节能降耗的3.3kV/1.5kV SiC混合模块封装IEGT、适用于大功率节能的4.5kV/3.3kV PPI压接式封装IEGT。
其中，4.5kV/3.3kV PPI压接式封装IEGT尤为引人瞩目，多田昇先生表示：“PPI压接式封装IEGT内部采用电流、电压均等分布的排列方式，装有多个IEGT芯片，其内部芯片无引线键合，并充有惰性气体；由于PPI器件往往是以短路失效模式出现，因此，简化了系统旁路电路的设计，极大的提高了系统的可靠性；同时，PPI封装双面散热的结构，确保了高散热性，外壳还采用了陶瓷封装的防爆结构，并且，该产品封装可轻松现实多颗PPI器件的串联应用。PPI IEGT的诸多优势优势特点可以非常好的满足发电、输配电等领域对高电压、大功率的器件的要求。”现在国内市场上也已经可以看到以东芝的IEGT作为核心器件的成功运行项目。
另外，在本届展会中，东芝还展出了智能模块IPD结合了专用驱动芯片MCD的无传感器直流无刷风机控制解决方案，该方案可以支持小功率的电机，并已被广泛地用于家电行业，由于该解决方案无刷极大的提高了系统的静音效果，同时，其无传感器设计解决了传统无刷方案中霍尔传感器带来的问题。而东芝丰富封装的高压MOS管（HV-MOS）和低压MOS（LV-MOS）产品线，是满足从消费类电子到工业相关设备不同需求的最好选择之一。拥有丰富的封装和新产品线的东芝光耦，能满足不同领域的不同需求，出货量更是一直保持着全球第一。
未来，东芝将在节能、环保、绿色及可持续发展等方面以全面创新为己任，整合多领域技术，提供优秀的产品和技术支持。