谈谈我国硅基微电子技术的发展现状

近几年，在国家相关政策的大力支持下，国内硅基微电子技术水平不断提高，与国际先进水平的距离逐渐缩小。总体来看，当前我国硅基微电子技术有以下特点。
    
　　（1） 超深亚微米集成技术研究逐渐接近国际先进水平。由于多方面的原因，我国在这一领域的研究工作长期处于劣势，不能与国际先进水平相提并论。在“863”等项目的支持下，清华、北大、中科院微电子所和半导体所等微电子基础条件较好的单位率先开展了面向超深亚微米集成技术的研究，在新型器件结构和器件模型等方面的研究取得了一定的进展（详见王阳元，黄如等，《面向产业需求的21世纪微电子技术的发展》）；中科院微电子所在国内首次完成了亚30nmCMOS器件及关键工艺技术研究，研制完成27nmCMOS器件，在指标方面已与国际先进研究成果具有同步性，为我国微电子向亚50nm集成技术的发展奠定了技术基础。
    
　　（2） 集成电路设计水平提高，规模增大。经过近几年的发展，芯片设计水平明显提高，目前我国自主设计的芯片产品已涉及CPU、数字信号处理器、高档IC卡、数字电视和多媒体、3G手机以及信息安全等六大领域。IC设计水平达到0.13μm，具有自主知识产权的核心芯片的开发及其产业化也取得了可观的突破。逐渐从以往的“低端模仿”走向以技术创新为主的“高端替代”。在这方面中星微电子公司比较有代表性，该公司在其计算机图像输入芯片中首次采用了自主创新的电路结构，明显降低了产品功耗，目前该系列芯片已经占据了全球一半以上的市场份额，中星微电子的手机音视频芯片也被三星、波导和联想等众多手机制造商采用，正是在技术上的领先打破了飞利浦等海外巨头的技术垄断，使“中国制造”的芯片产品走向了国际市场。目前我国专门从事IC设计的公司现在已达到500多家，其中有四家上市公司，从业人员2万多人，这说明我国已经具备了开展IC设计的基本软硬件环境，再集中精力发展几年，是有希望赶上世界先进水平的。
    
　　（3） 微电子材料和基础制造设备研究进步明显。在微电子单晶材料的制造设备方面，达到了国内主流工艺水平的要求，接近国际先进水平；第三代宽禁带化合物半导体材料的研究与国际先进水平基本保持同步；微电子关键制造设备的研究取得了突破性的进展。
　　总之，微电子技术是当代科学技术中发展速度最快的技术之一，由于我国的微电子技术与国际先进水平差距较大，要在短期内赶上或超过是很不现实的。日本人很善于引进国外技术，然后学习，模仿，创新。即便如此，他们也用了将近20年时间才达到国际先进水平。我们应该吸取日本在这方面的成功经验，尽量缩短这一过程，争取尽早达到世界先进水平。