美国半导体厂商Xanoptix公司开发了一个把Si和GaAs或InP三维堆叠制造复合半导体的圆片级工艺。该公司的这项混合集成电路技术将带来把丰富多样的硅芯片设计和高速材料或光半导体的高级能力结合在一起的器件。
该技术采用高密度互连阵列实现芯片的三维堆叠，同时还可以大大提高器件功能和密度并降低成本。通过采用一系列独特的集成和后处理工序确保堆叠材料良好附着，该公司现在能把数千只普通硅器件（如无线电收发器、网络处理器和DRAM等）同激光器、检测器和晶体管组合在一起。新芯片制造方法还提供了比目前的工艺高几个数量级的芯片间I/O密度，消除了芯片的I/O瓶颈限制。
Xanoptix不久将推出采用这项技术的第一批产品——XTM系列光收发器，该系列产品有极低的形状因数和每千兆带宽成本。该器件含有最多36个发送信道和36个接收信道，以每信道最高3.4Gb/s的速度异步工作。
该公司还开发了一个相关封装技术并提供技术使用许可，该技术用于制造高密度MT形状因数套圈，每个连接器最高支持72条光纤。以前的MT型连接器最高只能支持24条光纤。
Xanoptix称它的新工艺把性能、高产、伸缩性和每I/O 0.01美元的低成本结合在一起，把摩尔定律推向三维发展。