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IGBT及其派生器件，例如：IGCT，是MOS和双极集成的混合型半导体功率器件。因此，IGBT的失效模式，既有其子器件MOS和双极的特有失效模式，还有混合型特有的失效模式。
栅极电阻影响IGBT的开关时间、开关损耗等。文章分析了通过优化栅极电阻RG来调节IGBT的动态特性，使其工作在最佳开关状态。
多绝缘栅双极型晶体管IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)是一种由双极型晶体管与MOSFET组合的器件，它既具有MOSFET的栅极电压控制快速开关特性，
2010年，变频器行业增长速度达到27.27%，主要是中低压变频器去年供不应求，增速达到30%，第一次出现比高压变频器增速高的状况，高压变频器增速为22.7%。
高压变频器竞争加剧，价格继续呈下降趋势。经过测算，未来变频器行业将继续维持20%左右的速度高速增长。
IGBT管在现代电力电子技术中得到了越来越广泛的应用，在较高频率的大、中功率应用中占据了主导地位IGBT管的开通和关断是由栅极电压来控制IGBT管的。