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安森美半导体发布一系列新的碳化硅(SiC)MOSFET器件,适用于功率密度、能效和可靠性攸关的高要求应用。设计人员用新的SiC器件取代现有的硅开关技术,将在电动汽车(EV)车载充电器(OBC)、太阳能逆变器、服务器电源(PSU)、电信和不间断电源(UPS)等应用中实现显著更好的性能。
日前,Vishay Intertechnology,Inc.宣布,推出新款通过AEC-Q101认证的100 V p沟道TrenchFET®MOSFET---SQJ211ELP,用以提高汽车应用功率密度和能效。
日前,Vishay Intertechnology,Inc.宣布,推出最新第四代600 V EF系列快速体二极管MOSFET器件---SiHH070N60EF。Vishay Siliconix n沟道SiHH070N60EF导通电阻比其前代器件低29%,为通信、工业、计算和企业级电源应用提供高效解决方案。
作为电力电子领域的专业性展会,PCIM Asia2020汇聚了全球顶尖的功率半导体厂商,其中三菱电机以“创新功率器件构建可持续未来”为主题,重点展示了其第7代超小型DIPIPMTM、第2代工业用全SiC MOSFET模块、X系列HVIGBT(标准封装)、混合SiC HVIGBT和全SiC高压MOSFET五大新品。
日前,Vishay Intertechnology,Inc.(NYSE股市代号:VSH)宣布,推出新型40 V n沟道MOSFET半桥功率级---SiZ240DT,可用来提高白色家电以及工业、医疗和通信应用的功率密度和效率。
安森美扩展高性能、低噪声的XGS系列图像传感器,该系列产品以高帧速率提供12位图像质量。新产品包括XGS 45000、XGS 30000和XGS 20000,为分辨率要求高的应用提供高达4500万像素的成像细节,和在8K视频模式下达60帧/秒(fps)速率。
横跨多重电子应用领域的全球领先的半导体供应商意法半导体(STMicroelectronics,简称ST;纽约证券交易所代码:STM)于10月16日宣布了并购SOMOS半导体公司(“SOMOS”)的资产。
安森美半导体推出采用全局快门技术的AR0234CS 230万像素CMOS图像传感器。
物联网(IoT)超低功耗无线技术的创新者Atmosic™Technologies和接触者追踪解决方案提供商TraceSafe Inc.(CSE:TSF)共同宣布,TraceSafe在AllSafe手环中采用了Atmosic M2解决方案。
HIP2211是瑞萨电子备受欢迎的ISL2111桥驱动器的新一代引脚兼容升级产品;新款HIP2210提供三电平PWM输入,以简化电源和电机驱动器设计。HIP2211和HIP2210非常适用于48V通讯电源、D类音频放大器、太阳能逆变器和UPS逆变器。