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mos

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共 137 条结果
  • 更新:2016-04-20
    金属氧化物(MOS)半导体硫化氢探测器

    技术指标: 检测原理 固态金属氧化物半导体技术 量程 0-100ppm 精度 读数的±10%或±2ppm,取大值 响应时间 T80<30s 环境温度 -40℃to75℃ 环境湿度 0-100%RH(无冷凝) 信号输出 4-20mA,RS-485 (可选继电器模块) 电源输入 11.5-28VDC 耗电量 24VDC下<2W 电气和防爆等级 Class 1;Division 1;Groups B,C,D;EX dIIC…

  • 更新:2016-01-22
    内置MOS升压IC5V-9v

    深圳世微半导体推出各种类型的方案 升压方案 降压方案 恒流方案 DC-DC方案 AC-DC方案 等等如需了解请致电蔡生13530846306 LED驱动无频闪方案 、 电子打火机方案 5V/1A内置MOS高效率升压IC 5V/1A外置MOS高效率升压IC 5V/1A低成本高效率升压IC 5…

  • 更新:2015-05-27
    保护MOS管高压贴片电容1206X7R100V684k封装

    我司专业生产高压贴片电容-(节能灯,安定器,LED驱动电源,无极灯)专用(缩小体积) 规格主要有: 100V 223/333 0805封装 1KV 102 1206封装 1KV 152 1206封装 1KV 272 1206封装 1KV 222 1206封装 1KV 332 1206封装 1KV 472 1206封装 1KV 103 1206封装 400V 333 1206封装 400V 473 1206封装 400V 104 1210封…