和 GTO及IGCT相比，IGBT 传导损失相对较高，关断损失则较低。 因此，优化的IGBT开关频率与相同额定的GTO和IGCT相比而言是很高的。
无保护网（“缓冲器”）也可使用IGBT, 因而可以使极为简单的系统拓扑学化。这种简化会导致这样一个结果：大部分的系统损失会在硅中消散因此通过热约束减少最大开关功率。
所有IGBT独有的特性是它有能承受短路（高电流和高电压在装置中同时交叉)的能力。短路时，能通过IGBT到达装置设计的水平的电流时有限的。仅有门控制又不对装置造成永久性损伤在10微秒内安全的关闭短路是不可能的。
IGBT 由1 cm2的半导体芯片构成。与之相匹配的二极管一同，IGCT 被做成不同的模块，电和机械的装置以及各种电额定。