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中国电科:车用SiC MOSFET出货量破1200万只

发布时间:2023-07-12 来源:中自网 类型:行业资讯 人浏览
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导  读:

据中国电科消息,随着中国新能源汽车生产量迈入2000万辆大关,中国电科国基南方、55所研制的新能源汽车用650V-1200V碳化硅MOSFET出货量突破1200万只,实现大批量稳定供货。碳化硅MOSFET能让整车性能大幅提升,基于碳化硅的新一代新能源汽车平台,可使充电速度提高5-10倍,续航里程提高8%以上,损耗降低50%。随着Infineon、O...,元件,新能源,电动,应用,新能源汽车,新能源

 

据中国电科消息,随着中国新能源汽车生产量迈入2000万辆大关,中国电科国基南方、55所研制的新能源汽车用650V-1200V碳化硅MOSFET出货量突破1200万只,实现大批量稳定供货。



碳化硅MOSFET能让整车性能大幅提升,基于碳化硅的新一代新能源汽车平台,可使充电速度提高5-10倍,续航里程提高8%以上,损耗降低50%。


随着Infineon、ON Semi等与汽车、能源业者合作项目明朗化,将推动
2023年整体SiC功率元件市场规模达22.8亿美元,年成长41.4%。

与此同时,受惠于下游应用市场的强劲需求,TrendForce集邦咨询预期,至2026年SiC功率元件市场规模可望达53.3亿美元,其主流应用仍倚重电动汽车及可再生能源。


据了解,国基南方、55所持续推进新能源汽车用碳化硅MOSFET关键核心技术攻关和产业化应用,贯通碳化硅衬底、外延、芯片等全产业链量产平台,率先在新能源汽车、光伏智能电网等领域规模化应用,累计保障超过160万辆新能源汽车应用需求。


今年4月,中国电科宣布旗下55所与一汽联合研发的首款750V碳化硅功率芯片完成流片,首款全国产1200V塑封2in1碳化硅功率模块完成A样件试制。


报道称,在750V碳化硅功率芯片项目中,双方技术团队从结构设计、工艺技术、材料应用维度开展联合攻关,推动碳化硅功率芯片技术达到国际先进水平,目前已进入产品级测试阶段。


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