安森美半导体的NCP51820高速氮化镓(GaN)门极驱动器 在中国获2019年度“Top 10电源产品奖”
发布时间：2019-09-16
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安森美半导体，今日宣布其NCP51820高速门极驱动器获21IC中国电子网选为2019年度 “Top 10电源产品奖”。该年度奖项是中国备受认同的确定10大最具开创性的设计及技术有显著进步的电源产品的行业基准之一。
2019年9月10日 — 推动高能效创新的安森美半导体(ON Semiconductor，美国纳斯达克上市代号：ON)，今日宣布其NCP51820高速门极驱动器获21IC中国电子网选为2019年度 “Top 10电源产品奖”。该年度奖项是中国备受认同的确定10大最具开创性的设计及技术有显著进步的电源产品的行业基准之一。
安森美半导体的NCP51820是技术先进的方案，专为满足驱动离线、半桥电源拓扑中增强型GaN器件的严格要求而设计。
该获奖器件提供许多独特的特性，包括针对GaN优化的调节门极驱动输出电压和用于EMI噪声调节的单独的源极和汲极引脚。该驱动器提供少于25 ns的短的传输延迟，先进的电平移位技术使-3.5 V至+650 V (典型)共模电压范围用于高边驱动，-3.5 V 至 +3.5 V共模电压范围用于低边驱动。此外，该器件还支持驱动器两个输出级稳定的dV/dt运行达200 V/ns，确保在高速开关应用中的强固性能。
GaN技术有潜力提供更低的开关损耗和更高的功率密度，但实现这些好处取决于有针对GaN优化的、具有强固保护特性的门极驱动电路。为了充分保护GaN功率晶体管的门极免受过压应力的影响，NCP51820的两个驱动级都采用专用的稳压器以精确保持栅源驱动信号的幅值。安森美半导体的NCP51820还提供重要的保护功能，如独立的欠压锁定(UVLO)、监测器件工作电压(VDD)的偏置电压和高压供电端(VDDH)及低压供电端(VDDL)驱动偏置，以及基于器件裸片结温的热关断。
安森美半导体市场营销与应用总监Ryan Zhan说：“我们很自豪获21IC中国电子网评委认可我司NCP51820的先进和独特特性。 由于能源成本上升和可用空间有限，对更小尺寸、更高能效的电源方案需求持续增长。 我们的NCP51820突破了传统的隔离半桥门极驱动器的限制，并集成优化了GaN门极驱动器，以实现基于GaN的最简单、最具性价比的方案。”
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