三菱电机株式会社将于3月31日发售内置退饱和电压检测功能的HVIC※1“M81748FP”,，其耐压可达到业界最高的1200
V水平。该产品可用于驱动欧洲等地区的AC 400 V电源逆变器系统中的IGBT等功率半导体器件。
※1 High Voltage Integrated Circuit：内置功率半导体器件驱动功能的高压集成电路。
内置退饱和电压检测功能的1200V HVIC “M81748FP”
新产品的特点
1.内置退饱和电压检测功能，有助于降低功率半导体的功耗
搭载1200V高耐压P沟道MOSFET※2，在P-侧和N-侧均内置DESAT(退饱和)检测功能，以防止功率半导体的热破坏
直接检测P-侧的功率半导体短路或接地故障，将故障信号传递至N-侧并关闭系统
与分流电阻※3方式短路保护相比，更适用于150A以上额定电流的功率半导体器件，有助于降低其功耗
※2 Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor
※3 检测短路电流的电阻
2.适用于AC400V系电源的逆变器系统，达到1200V高耐压
1200V耐压分散式RESURF构造※4，将漏电流※5抑制在10μA以下
芯片表面采用PolyRFP※6结构，具备稳定的高耐压特性
※4 Reduced surface field：通过优化芯片表面构造，抑制半导体pn接合部的电场集中
※5 流经半导体电气绝缘接合部位的微弱电流
※6 Polycrystalline silicon resistor field plate：
在包围高电压电路部的耐压环表面采用多晶硅电阻，使得电场分布具有均匀化的构造
3.高抗噪性，有助于提高逆变器系统的可靠性
采用可抑制开关时的闭锁故障※7的埋入层※8，具备高抗噪性，有助于提高系统的可靠性
※7 由于在同一芯片上搭载多个元件，抑制噪音等相互影响而发生故障的现象
※8 元件下层是低电阻扩散层，可降低元件之间的阻抗，抑制噪声带来的影响
发售概要
销售目标
随着节能、高性能家电及工业设备上使用的电机驱动逆变器的不断发展，对逆变器系统用功率半导体的驱动芯片的需求也在不断扩大。
由于欧洲等地区使用AC400V逆变器系统，市场要求提供适用该高电压的高质量1200V耐压HVIC。
本公司此次将发售的高质量1200V HVIC内置了1200V高耐压P沟道MOSFET，具备DESAT检测功能，提高了抗噪性。
防止IGBT等功率半导体热破坏的DESAT检测功能与分流电阻方式短路保护相比，更适用150
A级以上额定电流的功率半导体，并且提供P-侧的接地保护。
该产品可提高AC400V逆变器系统的可靠性及减少功率半导体的功耗。
主要规格
环保考虑
符合RoHS※9 指令(2011/65/EU)。
※9 Restriction of the use of certain Hazardous Substances in electrical and
electronic equipment
制作工厂
三菱电机株式会社 功率器件制作所
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销售公司
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