当前位置:自动化网>富士电机(中国)有限公司门户>公司新闻>富士电机推出业界最高水平低损耗“Super J-MOS系列”MOSFET...

富士电机推出业界最高水平低损耗“Super J-MOS系列”MOSFET

发布时间:2011-12-27 14:14     新闻类型:产品资讯      人浏览
分享到:

    富士电机株式会社(东京都品川区、代表取缔役社长:北泽通宏)推出业内最高水平的低损耗MOSFET“Super J-MOS系列”产品。 

上市目的 

  如今,人们对地球环境越来越关心,在不断清洁化的IT领域及新能源等领域中,可实现高效电力变换的功率半导体受到广泛瞩目。 其中,MOSFET注1作为电力转换过程所使用的主要装置,对其降低损耗的要求越来越高。 

  此次,富士电机推出的Super J-MOS系列产品,采用具有新开发的低通态电阻特性的SJ结构注2,可大幅度地降低损耗。 据此,可通过提高设备的电力变换效率减少耗电,为实现低碳社会作贡献。 

产品特点 

  ・降低通态电阻70%注3,达到业内最高水平的低损耗。 

  ・结合最新降低开关损耗的技术,使元器件总损耗降低14%注4。 

主要规格(代表机型) 

主要用途 

  ・服务器、不间断电源、播放设备等信息通信设备; 


  ・面向太阳能电力调节器等新能源领域的电力变换装置等。 

询问处 

  富士电机株式会社 营业本部 电力电子设备统括本部 第3统括部 营业第1部   

  ☎03-5435-7256 


注1 MOSFET:Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor,金属氧化物半导体场效应管。 

注2 SJ结构:电荷非平衡Superjunction结构 

  其特点是,由于是使MOSFET的耐压层的p区和n区交互存在的结构,可使n区的杂质浓度提高,所以可大幅度降低阻值。 

  以往面状结构的MOSFET,由于是通过向高阻抗的n层延展电绝缘区(过流层)来确保耐压水平的,因此通态电阻无法降至一定值以下。 

  而SJ结构,是通过在n区形成p区,这既可以在纵向又可在横向延展过流层,因此,即使n层阻抗下降,依然可以确保耐压水平。据此,可实现超过以往面状结构理论极限的低通态电阻。 

注3、4 与本公司以往产品相比 

Super J-MOS产品照片 

本文地址:http://www.ca800.com/news/d_1nrusj6oaq23b.html

拷贝地址

免责声明:本文仅代表作者个人观点,与中国自动化网无关。其原创性以及文中陈述文字和内容未经本站证实,对本文以及其中全部或者部分内容、文字的真实性、完整性、及时性本站不作任何保证或承诺,请读者仅作参考,并请自行核实相关内容!

留言反馈
  • 评价:

  • 关于:

  • 联系人:

  • 联系电话:

  • 联系邮箱:

  • 需求意向:

  • 验证码:

    看不清楚?

  • 在线咨询
X
下载企业APP

成为企业会员免费生成APP!