富士电机株式会社(东京都品川区、代表取缔役社长:北泽通宏)推出业内最高水平的低损耗MOSFET“Super J-MOS系列”产品。
上市目的
如今,人们对地球环境越来越关心,在不断清洁化的IT领域及新能源等领域中,可实现高效电力变换的功率半导体受到广泛瞩目。 其中,MOSFET注1作为电力转换过程所使用的主要装置,对其降低损耗的要求越来越高。
此次,富士电机推出的Super J-MOS系列产品,采用具有新开发的低通态电阻特性的SJ结构注2,可大幅度地降低损耗。 据此,可通过提高设备的电力变换效率减少耗电,为实现低碳社会作贡献。
产品特点
・降低通态电阻70%注3,达到业内最高水平的低损耗。
・结合最新降低开关损耗的技术,使元器件总损耗降低14%注4。
主要规格(代表机型)
主要用途
・服务器、不间断电源、播放设备等信息通信设备;
・面向太阳能电力调节器等新能源领域的电力变换装置等。
询问处
富士电机株式会社 营业本部 电力电子设备统括本部 第3统括部 营业第1部
☎03-5435-7256
注1 MOSFET:Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor,金属氧化物半导体场效应管。
注2 SJ结构:电荷非平衡Superjunction结构
其特点是,由于是使MOSFET的耐压层的p区和n区交互存在的结构,可使n区的杂质浓度提高,所以可大幅度降低阻值。
以往面状结构的MOSFET,由于是通过向高阻抗的n层延展电绝缘区(过流层)来确保耐压水平的,因此通态电阻无法降至一定值以下。
而SJ结构,是通过在n区形成p区,这既可以在纵向又可在横向延展过流层,因此,即使n层阻抗下降,依然可以确保耐压水平。据此,可实现超过以往面状结构理论极限的低通态电阻。
注3、4 与本公司以往产品相比
Super J-MOS产品照片