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BSAC研讨会将介绍首个单芯片自供电无线传感器系统

发布时间:2011-12-12 来源:中国自动化网 类型:研讨会议 人浏览
关键字:

传感器 碳化硅 电子器件 MEMS

导  读:

位于法国巴黎的伯克利传感器和执行器中心(BSAC)将于2012年1月29日举办研讨会。此次研讨会将介绍采用碳化硅和氮化铝制造MEMS无线传感器的目前研究情况以及未来展望。

位于法国巴黎的伯克利传感器和执行器中心(BSAC)将于2012年1月29日举办研讨会。此次研讨会将介绍采用碳化硅和氮化铝制造MEMS无线传感器的目前研究情况以及未来展望,以应对低端恶劣环境下MEMS的应用。这些传感器正在集成到碳化硅电子器件和氮化铝储能设备,以建造首个单芯片自供电无线传感器系统。

  这次研讨旨在考察整个美国能源流情况(每年约100EJ),这些能量流大约85%由化石燃料燃烧产生的,所以研讨会根据这个调查概述了一个高温传感器系统(600-1000°C)的几种选择方案。然后,将介绍能够抵抗高温环境的传感器系列,包括一些已经在600°C、64000g冲击和干蒸汽喷射环境下正常工作的传感器原型。通过研究MEMS的制造方法,许多适合的薄膜材料将作为这次传感器套件的候选材料。

  接下来将要介绍的是许多现有的和已经研发中的传感器,还将介绍碳化硅电子集成到传感器相关技术以及碳化硅电子器件(包括有源和无源)制造和测试的最近研究成果。为了适应极端环境,RF部件采用氮化铝相关技术以及温度补偿射频滤波器的最近研究结果都将介绍和展示。研讨会还会给出单芯片自供电无线传感器系统的展望和未来相关技术的一系列结论。

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