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三菱电机在PCIM 2011展上新品层出

发布时间:2011-06-23 15:24     新闻类型:展会资讯      人浏览
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  三菱电机一直致力于开发新技术,在6月21日至24日于上海国际会议中心隆重举行的PCIM 2011亚洲展上,三菱向参观者带来了多款最新的设计,主要包括三个方面:介绍更低能耗、成本和噪音的变频家电节能技术及受业内欢迎的第4代DIPIPMTM(双列直插式智能功率模块)模块PS219AX系列,和正在开发的第5代超小型DIPIPMTM;高性能、超可靠、低损耗的三菱电机汽车用J系列EV-IPM和J系列EV T-PM功率半导体模块;最新开发的Smart-1系列IGBT模块首度亮相,连同其大受市场欢迎的V1系列IPM、新型PV-IPM和新型MPD系列模块,向参观者展示其强大的变频工业技术,为客户提供面积更小、损耗更低、和容量更大的功率模块。

  在三菱电机召开的新闻发布会上,记者从日本地震的影响、三菱的发展大计、三菱电机功率模块市场、三菱电机节能环保、收购Vincotech公司和今后的展望5点出发,深度了解三菱。通过面对面的证实,即使在大地震的背景下,三菱并未受到太大的影响,今后继续将保持良好的发展速度,保证中国用户的需求。

  新闻发布会的内容与同期展出的产品相互呼应,这次三菱携多款新品亮相PCIM展成为行业聚焦的重点,让我们一起分享三菱带来的可喜成果。

三菱电机功率器件制造所所长2011PCIM媒体吹风会发言

三菱电机功率器件制造所所长西村隆司先生 

第5代超小型DIPIPMTM

  DIPIPMTM作为变频家电功率转换部分的核心元件,它集成了功率器件及其驱动保护芯片,从而大大减少电力损耗达到节能效果。以变频家电为例:变频空调比定速空调节电20%-30%;变频冰箱比常规冰箱节电50%左右;变频洗衣机比常规洗衣机节电50%左右,在节水方面,变频洗衣机比常规洗衣机节水30%-50%左右。

  第5代超小型DIPIPMTM采用第6代全栅型CSTBTTM硅片,硅片结温最高达150℃,且模块内低压侧控制芯片带有温度模拟量输出功能,可以更好的监控模块的温度,从而提高系统的可靠性。

三菱电机汽车用J系列EV-IPM和J系列EV T-PM功率半导体模块

  受到近几年环保意识提高的影响,混合动力汽车和电动汽车等市场不断扩大。由于对汽车有着很高的安全性要求,因而对用于汽车马达驱动的功率半导体模块,也要求其具有超出普通工业用途的可靠性。

  J系列EV-IPM采用第5代LPT- CSTBTTM硅片技术,模块内硅片上集成电流和温度传感器,杂散电感低。模块采用自1997年以来已成功量产的先进制造工艺,实施从模块材料到零件与生产履历的硅片级可追溯性管理,满足ELV汽车的安全规格。目前开发的J系列EV-IPM产品的电流电压等级分别有:300A/600V、600A/600V、150A/1200V和300A/1200V。

  J系列EV T-PM采用第5代~第6代LPT- CSTBTTM硅片技术,模块内硅片上集成电流和温度传感器。模块内部构造不同于以往用铝电线连接功率半导体硅片和主端子,而是采用DLB构造,成功将主端子延长,使之直接与功率半导体硅片焊接。利用DLB构造提高了模块的可靠性。此外,模块采用2合1压注膜封装技术,使得模块内的配线电阻和电感得到减小,从而降低了模块的损耗。模块实施从模块材料到零件与生产履历的硅片级可追溯性管理。满足ELV汽车安全规格,确保用于汽车的质量与产品寿命。目前开发的J系列EV T-PM产品的电流电压等级分别有:300A/600V,600A/600V和300A/1200V。

Smart-1系列IGBT模块

  三菱电机的最新开发的Smart-1系列IGBT模块,采用第6代CSTBTTM硅片技术和自动压接装配技术。模块的饱和压降低,功率损耗低,且硅片结温可高达175°C,硅片运行温度最高可达150 °C。

  Smart-1系列IGBT模块主要应用于工业变频电机驱动和伺服驱动,已开发出的模块电路拓扑有两种,一种是整流逆变制动的CIB(Converter Inverter Brake),另一种是6合1模块。其中,CIB模块的电流/电压等级有15A~35A/1200V,6合1模块的电流/电压等级有25A~50A/1200V。

  近年来,节能和获得更好的性能成为企业创新的标准之一,三菱中、高容量功率半导体模块已经有比较成熟的应用,而收购Vincotech公司后,填补了低容量领域的空缺,形成了完整的产品系列。三菱承诺将满足客户更大的需求,提供更加优质的服务。

三菱电机2011PCIM展会现场

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