通富微电拟与富士通半导体合作设立研发中心

通富微电周二晚间发布公告，公司拟与富士通半导体建立合作研发平台，8月30日双方已签署《合作设立研发中心意向书》。

　　研发中心计划年内开始运行，在今后1-2年内，研发的重点是Fan-Out WLP、Low Cost FCBGA等技术。

　　富士通半导体与公司第二大股东富士通（中国）有限公司同为富士通株式会社的全资子公司，同受富士通株式会社控制，为公司关联方。

　　公司表示，研发中心的设立，将加大公司研发新型封装产品和技术的力度，有利于公司综合技术水平的提升，有利于加快先进封装技术成果的转化及产业化。同时对公司优化产品结构，实现产品技术处于行业领先地位的目标也会产生实质性的积极作用。