东芝计划耗资150亿日元生产25纳米闪存

4月2日消息，据日本经济新闻消息，东芝公司今年计划耗资150亿日元(约合1.6亿美元)兴建一条试验生产线，生产小于25纳米制程的NAND闪存芯片。
　　目前东芝生产的NAND闪存是采用32与43纳米技术，主要应用于手机及数字相机等电子消费产品。为生产新的25纳米制程以下的芯片，需使用较短光波的极紫外光微影(EUV lithography)技术，因此，东芝也将进行相应的技术升级。目前，东芝已向荷兰半导体微影系统大厂ASML订购设备，预计在今年夏天试验投产。消息一经公布，东芝在股市中涨幅达3.5%，远远超过同类电气机器指数0.8%的涨幅。
　　而东芝与其它半导体厂商20纳米制程闪存的开发，也可望于未来两年内开始量产。