IR推出新型MOSFET

    国际整流器公司（IR）日前发布了最新的HEXFET系列N沟道型功率MOSFET，该产品具有较低的通态电阻（RDS(on)），采用TO-247封装，其典型应用包括：同步整流、有源ORing、大功率直流电机驱动，直-交逆变器、电动工具等。
    新型MOSFET的RDS(on)指标优于同类器件50%以上，因此无需采用工业应用中常见的较昂贵的大尺寸封装，从而有助于降低系统的整体成本。此外，较低的RDS(on)还大大减少了导通损耗，提高了系统的运行效率。
    IR的功率器件业务部市场经理Brian LaValle指出：“由于新型MOSFET在RDS(on)指标上的卓越表现，设计人员完全可以避免采用大尺寸且十分昂贵的ISOTOP封装，或者尺寸虽小，但又必须辅以散热措施的小型BLOC封装，从而使系统成本得到显著削减，减幅甚至可以达到将近百分之五十”。
    新型N沟道MOSFET的电压范围为40 V～200 V，提供工业级版本和潮湿敏感度一级（MSL1）版本，此外，产品还符合RoHS标准，提供无铅封装。