英特尔公司宣布其研究团队在硅光电子学领域取得了又一项重大的技术突破，成功使用基于硅的雪崩光电探测器（Silicon-based Avalanche Photodetector）实现了创世界纪录的高性能，与目前市场上的同类器件相比可大幅度降低成本并提高性能。这项研究成果已经发表于今天的《自然—光子学》（Nature Photonics）杂志。
这项技术以硅为基础的累崩光电侦测器（Avalanche Photodetector, APD），未来可望能够以更低的成本为光电装置提供更快的传输率。硅光是利用标准的硅来传送与接收计算机及电子产品光信息的一种新兴技术，这种技术未来可望解决一些高运算密度应用的频宽问题，如远程医疗，或是逼真的3D虚拟世界。
英特尔指出，未来在多核心处理器的计算机上，超高速的数据传输会非常重要；而硅光技术能够以较低的成本提供主流计算机更快的速度。而这次技术的改进，是以先前的技术突破为基础，例如高速硅调节器，以及混合式硅雷射。APD目前主要应用在数十公里长、10Gbps的远距离传输上，而英特尔的APD可达到40Gbps。英特尔预计最快在二至三年后，把这项技术用在PC平台上。
英特尔研究人员已打造出以硅为基础的APD，这个光
传感器并达到了前所未有的感测度，可侦测并放大被导入硅里面的微弱讯号和光。这款APD利用硅及CMOS处理达到340GHz的频宽积（gain-bandwidth product）。英特尔指出，这也是APD效能标准指标所量得的最佳结果，而且首次以较低成本的硅光装置验证了40Gbps以上的传输率，这个效能也超越了现行更为昂贵的光电装置材料铟（indium）。
数据的超速传输对未来的众核计算机至关重要。以硅光电子学为基础的技术能够以更低的成本提供更高速的主流计算能力。此次技术突破是继英特尔实现快速硅调制器和混合硅激光器等技术后的又一项重大进展。这些硅光电子学技术将为世界带来全新的数字设备，实现难以想象的性能突破。
由英特尔研究人员领导的团队成功研制出硅基雪崩光电探测器。这种光感应器通过探测微弱光信号并将其放大而拥有卓越的灵敏度。这款雪崩光电探测器使用硅和CMOS工艺实现了有史以来最高的340 GHz“增益-带宽积”。这为降低40Gpbs或更高数据传输速度的光学链路的成本开启了大门，同时也第一次证明了硅光电子元器件的性能可以超过现有的使用磷化铟（InP）等更昂贵传统材料制造的光电子元器件的性能。
英特尔院士、光电子学技术实验室总监Mario Paniccia博士表示：“这项研究成果再次展示了硅可以用于制造超高性能的光电产品。除了光学通信，这些硅基雪崩光电探测器还可以应用于传感、成像、量子密码学或生物学等领域。”
英特尔研究团队与行业及学术机构进行合作，并联合美国国防部高级研究计划署（DARRPA）共同为此项研究提供了资助。领先的NOR、NAND、RAM和相变非易失性存储器技术厂商Numonyx公司提供了器件工艺的开发与制造技术。Numonyx制造业务副总裁兼Fab1工厂经理Yonathan Wand表示：“这项研究成果证明了英特尔和Numonyx之间的高效合作关系。我们致力于加强与英特尔的合作，并在硅光电子学领域实现进一步的突破。”
弗吉尼亚大学Joe Campbell教授和加州大学圣塔芭芭拉分校John Bowers教授都是雪崩光电探测器领域的专家，他们担任了该项目的顾问并在测试环节提供了大力协助。
Bowers教授表示：“这款雪崩光电探测器利用硅材料固有的卓越特征实现信号的快速放大，创造了世界领先的光电技术。我们很高兴能参与器件的测试，并将继续与英特尔合作，全面发挥硅光电子学设备的潜力。”