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IR推出新型逻辑电平驱动型MOSFET

发布时间:2008-09-26 来源:中国自动化网 类型:行业资讯 人浏览
关键字:

IR 驱动 MOSFET

导  读:

  

  据悉,International Rectifier(IR)公司的逻辑电平驱动型MOSFET产品线RAD-Hard™日前又推出了60V、100V和250V三个新型号,该系列产品适用于对可靠性要求较高的开关电源、卫星配电系统、谐振电源转换器等。

  与传统的MOSFET器件相比,逻辑电平驱动型MOSFET可由CMOS/TTL逻辑电路直接驱动而无需中间器件,从而减少了元件数量,简化了驱动电路并且提高了可靠性。此外,较低的通态电阻(RDS(on)),较快的开关速度和较小的体积,也使得这种新型MOSFET成为传统器件的理想替代。

  IR航空航天及军用产品市场经理Eugene Kelly指出:“逻辑电平驱动型MOSFET为控制电路到功率部分的接口提供了一种可靠、高效的解决方案,并且免去了传统器件所需的驱动电路”。

  RAD-Hard™系列逻辑电平驱动型MOSFET提供直插和表贴封装,具体包括SMD-0.5、SMD-2、LCC-28、TO-205AF、TO-257AA、MO-036AB等。

本文地址:http://ca800.com/news/d_1nrusj6oaol8r.html

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