韩美联合科研组 成功研发3D集成电路技术

韩国媒体称，韩美两国联合科研组成功开发了将半导体电路堆叠使半导体集成度得到提高，且减少批量生产成本的三维集成电路（3D-IC）商用化技术。 
    
　　纳米综合Fab中心、美国风险企业BeSang和斯坦福纳米Fab（SNF）11日下午在首尔洲际大酒店召开记者会表示，通过三维单一芯片集成电路，开发了可代替互补性氧化金属半导体（CMOS）技术的3D-IC商用化技术。 
    
　　在平面硅板形成电路的二维半导体，因小型化所致的成本上升及技术问题等，无法进一步实现小型化，因此半导体业界一直在研究三维半导体技术。 
    
　　但三维半导体制造技术，需要高温制造环境，且半导体层之间易出现缺陷，因此至今未能实现商用化。 
    
　　但韩美研究组以180纳米技术和8英寸硅半导体晶片，在400摄氏度以下低温环境形成了三维集成电路。 
    
　　研究组当天公开了利用新技术在180纳米级8英寸硅晶片堆叠1.28亿个立式半导体器件（两层）的三位集成电路。 
    
　　纳米综合Fab中心表示：“3D-IC技术形成立式半导体电路，这不仅提高单位面积上的集成度，还进行了堆叠，使集成度达到普通半导体的数十倍。” 
    
　　该中心还表示：“此项技术将彻底改变截至目前的二维半导体集成电路生产体系，它不仅能够显著降低半导体生产成本，还将影响未来的几代技术。”