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三星Hynix联手研发新一代半导体芯片

发布时间:2008-06-27 来源:中国自动化网 类型:自动化要闻 人浏览
关键字:

半导体

导  读:

      世界顶级芯片制造商三星电子与Hynix周三宣布,将联手发展下一代半导体芯片。 
     据国外媒体报道,三星与Hynix表示,双方将合作进行旋转力矩转移-磁性随机存储器(STT-MRAM)芯片的研发工作,并将致力于使其成为下一代450毫米晶圆的行业标准。 
     三星与Hynix表示,研发工作将于8月份开始着手实施。 
     三星与Hynix预计,全球新一代芯片市场将在2012年左右趋于成熟。


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