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三菱电机携众多新品强势亮相2008慕尼黑上海电子展

发布时间:2008-03-18 20:26 来源:展会资讯 类型: 人浏览
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三菱电机 慕尼黑电子展

导读:

  三菱电机将携同最新推出的第四代DIP-IPM(双列直插型智能功率模块)、第五代智能功率模块L1系列IPM以及多种系列的第五代IGBT模块,在3月18至20日于上海新国际博览中心举行之2008慕尼黑上海电子展(展位5102)上,为不同领域的客户提供与其相应的应用解决方案。

  三菱电机常务执行董事、半导体事业本部总经理长山安治先生此次特别从日本赶来参加展会,他指出:“日前中国市场发展迅猛,作为全世界最大的电子市场,三菱电机十分重视在中国的发展。我们将致力引入领先的技术及适合不同领域的优秀解决方案,协助客户面对越来越激烈的市场竞争。”

  三菱电机作为业界的先驱,早在1997年就开发了用于白色家电和工业用电机的变频驱动的DIP-IPM。2004年以来,DIP-IPM模块的开发致力于小型化、低热阻化以及完全无铅化,并已开发出第四代DIP-IPM产品。如今,为提高DIP-IPM的性价比,增加了新开发的搭载RC-IGBT硅片的额定电流为3A的DIP-IPM,从而使第四代DIP-IPM系列产品更加丰富,为白色家电等变频基板的小型化做出贡献。

  三菱电机日前新推出第五代L1系列智能功率模块,其将硅片温度传感器设置在IGBT硅片正中央处,实现了更加精确迅速的硅片温度检测。该系列IPM采用全栅型CSTBTTM硅片技术,具有比L系列IPM更低的损耗以及更加优化的VCE与Eoff折衷曲线。L1系列智能功率模块主端子有针脚型和螺丝型两种形式,同样电流电压等级的L1系列IPM与L系列IPM的封装完全兼容。此外,L1系列IPM还首次开发了25A/1200V和50A/600V的小封装产品以满足客户节约成本的需求。

  三菱电机采用最新开发的载流子存储式沟槽型双极晶体管(Carrier Stored Trench-gate Bipolar Transistor,CSTBTTM)功率硅片,实现了第五代IGBT模块的产品化,其具有低损耗、低饱和压降、高功率循环和寿命长等优点。分别针对不同应用开发了A、 NF、 NFM、NFH和NX系列。

  三菱电机在展会期间,还设有现场滚动讲座讲解各技术方案及其应用。

三菱电机机电(上海)有限公司简介

  三菱电机创立于1921年,是全球知名的综合性企业集团。在最新的《财富》500强排名中,名列第196。

  作为一家技术主导型的企业,三菱电机拥有多项领先技术,并凭强大的技术实力和良好的企业信誉在全球的电力设备、通信设备、工业自动化、电子元器件、家电等市场占据着重要的地位。

  三菱电机机电(上海)有限公司把弘扬国人智慧,开创机电新纪元视为责无旁贷的义务与使命。凭借优越的技术与创造力贡献产业的发展以促进社会繁荣。

 三菱电机半导体产品包括三菱功率模块(IGBT、IPM、DIP-IPM、HVIGBT、MOSFET等)、三菱微波/射频和高频光器件、光模块等产品,其中三菱功率模块在电机控制、电源和白色家电的应用中有助于您实现变频、节能和环保的需求;而三菱系列光器件和光模块产品将为您在各种模拟/数字通讯、有线/无线通讯等应用中提供解决方案。

  更多信息,请登陆三菱电机机电(上海)有限公司网站:http://www. MitsubishiElectric-mesh.com或三菱电机半导体全球网站:http://www.mitsubishichips.com/

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