（五）高频化
为了缩小开关电源的体积，提高电源的功率密度并改善其动态响应，小功率dc－dc变换器的开关频率已将现在的200～500khz提高到1mhz以上，但高频化又会产生新的问题，如开关损耗以及无源元件的损耗增大，高频寄生参数以及高频电磁干扰增大等。
四、一流电源产品离不开先进的元器件及先进的工艺
（一）功率器件的发展是电源技术发展的基础
功率mosfet是目前最快速度的功率器件。目前较先进的水平为：电压可达1200v，电流可达60a，频率可达2m
hz，导通电阻可达约0.1ω。提高器件耐压，同时减小其导通电阻仍是今后mosfet的主要研究方向。
绝缘栅双极型晶体管igbt是由mosfet和双极型晶体管复合而成的电力电子器件，它的控制极为绝缘栅控场效应晶体管，输出极为pnp双极功率晶体管，因而具有两者的优点，克服了两者的缺点。目前耐压可达6.5kv，电流可达1.2ka，今后的主攻方向仍是扩大容量，减小内阻，以减小导通损耗。这里提及的是，由于igbt经常工作在高频、高压、大电流状态下，又由于电源作为系统的前级，易受电网波动、雷击影响，容易损坏；，故igbt的可靠性直接影响电源的可靠性，所以在选择igbt时，除作降额考虑外，对igbt的保护设计也极为重要。
igct是gto的更新换代产品，它主要是通过分布集成门极驱动，浅层发射极等技术。器件的开关速度有一定提高，同时减少了门极驱动的功率，方便了应用，而igct的发展趋势仍然是高电压、大容量。
（二）变压器与磁性元件
随着电力电子技术的发展和成熟，人们逐渐认识到磁性元件不仅是电源中的功能元件，同时其体积、重量、损耗在整机中也占相当比例。据统计，磁件的重量一般是变换器总重量的30%～40%，体积占总体积的20%～30%，对于高频工作，模块化设计的电源，磁件体积、重量所占的比例还会更高。另外，磁件还是影响电源输出动态性能和输出纹波的一个重要因素。因此，要提高电源的功率密度、效率和输出品质，就应对减小磁件体积、重量及损耗的相关技术进行深入研究，并立足于应用，以满足电源发展的需要。
对于低、中频电源，建议采用r型变压器，其特点是：损耗低、体积小、无噪声、抗干扰能力强。目前发展状况是单相功率范围已扩展到1va～100kva，三相功率范围已扩展到315kva。未来主攻的方向是设法克服应用中冲击电流比较大的缺点（即变压器次级开路，初级加额定电压时的瞬间，初级所形成的冲击电流）。
对于高频变压器，主要用于各种形式的开关电源，频率为20～500khz，功率可做到数十千瓦。所用材料主要是非晶、微晶、超微晶、软磁铁氧体材料，当变压器工作频率大于700khz时，变压器中的涡流损耗急剧增加，约占总损耗的80%，为减小其损耗，必须在功率铁氧体材料中加纳米添加剂，从而出现了用纳米晶软磁合金和纳米晶磁材制成的各种变压器。当前比较好的有日本tdk公司、fdk公司所提供的高频磁芯和德国vac公司所推出的超微晶磁材，这种磁材具有非常高的初始导磁率，一般高达几万，而材料所使用的频率均为300khz～1mhz，中心频率为500khz。