瑞萨科技公司(Renesas Technology Corp.)日前宣布，推出用于汽车导航系统的单芯片电源控制IC R2S25402FT。样品将从2007年9月开始在日本交付。
R2S25402FT是瑞萨科技第一个专门为汽车导航系统开发的电源IC，可以为执行主要汽车导航处理的处理器和DRAM数据存储等，以及DRAM终端电阻电压电路提供电源电路，这些功能都集成在一个采用64引脚QFP封装的芯片中，R2S25402FT的主要功能概括如下：
(1)通过高度集成，与当前的瑞萨产品相比，安装面积大约减少了20%
R2S25402FT为处理器和DRAM电源控制电路，以及作为DRAM终端电阻电源电路的线性稳压器提供了单芯片实现方法。这些电路以前需要组合几个器件，现在可以使用单个R2S25402FT实现，有助于减少元件使用数量。此外，与当前的瑞萨产品相比，采用64引脚QFP封装可使安装面积减少大约20%，可以使电源电路变得更小。
(2)有助于降低系统成本
作为DRAM终端电阻电源集成的内部线性稳压器可以进一步减少元件数量，有助于省去以前必要的元件，如电压降压型线圈、平流滤波电容器和驱动FET，进而削减系统成本。
(3)当引擎停止工作时，汽车导航系统可以进入DRAM备份模式
R2S25402FT采用了一种DRAM备份模式。在汽车导航系统中，在引擎关闭之前，地图信息等必须进行保存，当引擎再次启动时再一次显示。地图信息存储在DRAM中，而DRAM是易失性存储器，要求应用更新电流来保持其数据。R2S25402FT集成了更新电流的电源电路，可利用8mA电流实现大约70%的高效率。这将有助于防止引擎停止工作时的电池消耗。
(4)宽泛的电源电压规格，有助于改进系统设计效率
R2S25402FT具有3.4至35V的宽泛的电源电压范围，可利用车辆电池电压直接工作。这将有助于简化电源设计，改进系统设计效率。
其他产品细节
在用于处理器和DRAM的每个电源电路的最后一级通常都包括两个MOSFET。利用R2S25402FT可以将两个MOSFET在外部连接起来，驱动这些MOSFET输出信号的控制电路已集成在片上。
具有电流流入和流出能力的线性稳压器还集成了DRAM终端电阻电压应用，以及为DRAM备份模式提供电流的小型MOSFET。这些电路与采用64引脚QFP封装的一个芯片高度集成在一起，从而可以减少系统的元件数和安装面积，因此可满足安装空间受限的汽车导航系统的电源设计要求。
工作在正常模式下的汽车导航系统——正常工作模式——需要若干安培的大电流，而在引擎关闭状态下的DRAM备份模式工作仅需要若干毫安的小电流，但是高电源效率对两种模式都是基本的要求。利用R2S25402FT，外部MOSFET可在正常模式下驱动，而在DRAM备份模式的小电流工作期间，集成在R2S25402FT中的小型MOSFET被驱动。这将有助于针对每种模式优化开关损耗和导通损耗，以实现高效率。
其他功能还包括利用一个外部同步信号在350KHz和480KHz之间改变开关频率的能力，根据元件性能和系统配置来实现理想设置。DRAM备份模式下的开关频率固定在25kHz。
典型应用
汽车导航系统
日本市场参考价格
R2S25402FT采用64引脚QFP封装，样品含税价格400日元。
详细参数
输入电源电压：3.4V至35V
输出电压设置范围：0.8V至5.0V
工作频率：300KHz
可变工作频率：350KHz至480KHz
备份模式下的开关频率：25KHz(±10%)
配置：2通道控制器，推挽式线性稳压器