美国加州圣克拉拉，2007年5月22日 英特尔公司今天宣布，从其45纳米高-k金属栅极处理器全部产品系列开始，英特尔下一代的处理器将实现百分之百的无铅化。英特尔45纳米高-k产品系列包括下一代英特尔®酷睿™2双核、英特尔®酷睿™2四核以及英特尔®至强®处理器。采用最新45纳米高-k技术的处理器将于2007年下半年开始投产。
英特尔公司技术与制造事业部副总裁兼封装测试技术发展总监Nasser Grayeli指出：从淘汰铅的使用、致力于提高我们产品的能效，到降低空气排放和提高水及其他材料的循环利用，英特尔正积极地朝着环境可持续发展的目标迈进。
即将投产的英特尔45纳米高-k栅介质+金属栅极处理器系列将采用新的封装技术。该技术将使用铜质凸焊点（bump）和一种锡/银/铜的合金（如图所示）来替换掉原来的锡/铅合金焊料，这些焊料起着连接芯片（silicon die）到封装底层的作用。