松下电工在半导体继电器“PhotoMOS系列”产品中追加了高容量、低导通电阻的“PhotoMOSSOP高容量”款型,2006年9月15日上市。包括负载电压为60V“SOP(小外形封装)4引脚”和80V的“SOP6引脚”2款,容量均为1.25A、原来的2.5倍。导通电阻方面,前者为0.2Ω、约为原来的1/4,后者为0.09Ω、约为原来的1/9。面向计测设备、电源、安全设备等要求长寿命的电路。
普通的半导体继电器很难兼顾高容量和低导通电阻,当要求高容量/低导通电阻时,一般采用机械继电器。但是,由于机械继电器的接点寿命短,在开闭频率高的场合,需要频繁地更换。因此,松下电工通过新开发输出端的MOSFET,开发成功了兼顾高容量和低导通电阻的半导体继电器。可满足设备的小型化及高密度封装要求。
PhotoMOS继电器由MOSFET、LED及光感应器件组成。工作原理如下:当讯号电流通过输入接点时,LED发光,照射光感应器件。光感应器件根据受光量进行发电,为输出部分的MOSFET栅极充电。当MOSFET栅极的电压超过预设值时,MOSFET漏极与源极呈导通状态,继电器便开通。