飞利浦日前表示，将加快推进以车载微控制器和非接触IC卡应用领域为中心的混载闪存(NANO flash)制造工艺的提高。2006年第1季度继正在量产的180nm工艺之后已经开始生产140nm工艺产品，同时现已着手准备向90nm工艺过渡。
该公司180nm工艺混载闪存在车载领域已获得“Grade-1”认证。产品厂商可保证在车载领域所要求的125℃高温条件下正常工作。其混载闪存之所以能耐高温运行，“原因是耗电量低”。
该公司负责技术研发的Frans List表示：飞利浦混载闪存的最大的特点是耗电量低，其主要用途是对耗电量要求严格的车载微控制器和非接触IC。当然，包括便携终端在内的数字民用产品也是重要的用途之一。180nm工艺16Mbit产品的写入与删除电压分别为1.5V和1.2V，单位工作频率的耗电量为1.62mW/MHz。
Frans List指出：之所以能实现低耗电，原因在于它是以F-N(Fowler-Nordheim)穿隧方式写入数据。这种方式由于不在构成单元的MOS FET源-漏极之间施加电压，因此与混载闪存领域普遍采用的CHE(沟道热电子)注入方式相比，可降低写入电流。
在谈到写入速度上与CHE注入方式的比较时，Frans List指出：以单元为单位的写入速度的确是CHE注入方式更快一些。不过，F-N穿隧方式由于能够以由多个单元构成的单元块进行写入，因此容量越大，在写入速度上与CHE注入方式相比就越具优势。
飞利浦采用的是由数据保存用MOSFET和单元选择用MOSFET构成一个单元的“2T型”，但这并没有影响尺寸，由于它的耗电量低，与CHE注入方式的1T型能够减小升压电路的设计尺寸，16Mbit产品的芯片面板为19mm^2，实现了接近1Mbit/mm^2的集成密度。在制造工艺更尖端的混载领域，升压电路在整个芯片中所占的面积较大，单元面积的增加可通过升压电路的小型化加以补偿。