现在再讲两点可以预见到的—一通信电源主要发展展望。
第一、功单半导体器件是开关电图发展的重要支撑
功率半导体器件仍然是开关电源发展的“龙头”。
功率场效应管（MOSFET）由于单极性多子导电，显著地减小了开关时间，因而很容易达 到100kHz的开关频率而受到世人瞩目。这种器件现在的重点在于如何降低通态电阻。美国IR 公司用提高单位面积内原胞个数的方法。如该公司开发的一种HEXFET场效应管，其沟槽 （Trench）原胞密度，已达世界最高的每平方英寸1.12亿个的水平。通态电阻RDS可达3毫欧， 自1996年以来，其以每年50％的速度下降。IR公司还开发了一种低栅极电荷（Qg，即输入电 容很小）的HEXFET，使开关速度更快。
同时应当看到，作半导体器件材料的硅，已经“统治”了半导体器件超过了50年，挖掘 硅性能的潜力已很难。有关半导体器件材料的研究，从70年代以来始终在进行着。进入90年 代以后，对碳化硅（SIC）的研究达到了热点。实验表明，应用SIC的半导体器件，其导通电 阻只有Si器件的1／200；如电压较高的硅功率MOSFET，导通压降达3－4V，而SIC功率 MOSFET， 导通压降小于1V，而关断时间小于10ns。目前的问题是要进一步改善SIC表面与金属的接触 特性和更完善SIC的制造工艺。有把握地说，再经过5年不会超过10年，这些问题都会得到很 好的解决。到用SIC制造的半导体器件得到广泛应用时，对开关电源的影响将会是革命性的。
第二、电路集成和系统集成
半导体器件或电路的发展方向是模块化、集成化。如控制电路现在多已制成专用集成电 路。具有各种控制功能的专用芯片近几年发展很快，如功率团数校正（PFC）电路用的控制芯 片，并联均流控制芯片，较开关控制用的ZVS、ZCS芯片，ZVT、ZCTPWM专用控制芯片，电流反 馈控制芯片等等。功率器件则有功率集成电路（Power IC）和IPM。IPM是IGBT作功率开关， 集控制、驱动、保护、检测电路封装在一个模块内。由于外部接线、焊点减少，可靠性明显 增加。集成化、模块化使电源产品体积小、可靠性高，给应用带来极大方便。
电路集成的进一步发展是做系统集成。美国VICOR公司生产的第一代电源模块受生产技术、 功率和磁元件体积、封装技术的限制，密度始终未能超过每立方英寸80W。近年来推出的第二 代电源模块，内部结构也改为模块式，达到高度集成化和全面电脑化。功率密度已经达到了 每立方英寸120w。电源模块内含元件只有第一代产品的1／3，由115个减为35个。第二代电源 模块的控制电路只含两个元件，被称作“大脑”（Brain）。“大脑”是两片厚膜电路，由 VICOR公司自己的无尘室自行开发生产，其总体积只有0.1立方英寸，取代了第一代产品中的 约100个控制元件，体积缩小了60%。第二代产品中另一个突破是变压器的改良，平板式变压 器使处理功率的密度达到了每立方英寸1000W。第二代产品功率器件的管芯直接焊接在基板上 以取代第一代TO－200封装，可以提高散热效率，降低寄生电感、电容和热阻。第二代产品集 成度显然提高了，但还不是系统集成。仍以英特尔微处理器的供电电源为例，现在的做法是 开关电源紧靠微处理器，这样尚能满足现在微处理器的要求。但将来微处理器工作电压降为 1V或0.8V，电流增加，速度更快的时候，现有的解决办法将无法达到它的要求。三年前，美 国弗基尼亚电力电子研究中心李泽元教授就提出要彻底解决问题，必须将开关电源与微处理 器结合在一起。今天英特尔公司开始接受这一想法并在积极促成此事。提出的构想是：开关 电源紧密结合（集成）在微处理器主机板下面。这样开关电源的大小必须与微处理器相当， 而现在的开关电源要比微处理器大几十倍。如何减小体积？这又面临新的挑战！
可以预计，下面几个问题是开关电源，自然也是通信电源发展的永恒方向：
1．开关电源频率要高，这样动态响应才能快；配合高速数字电路工作是必须的；也是减 小体积的重要途径；
2．体积要小，变压器电感、电容都要减小体积；
3．效率要高，散热少，容易达到高功率密度。