在日前召开的“NVSMW 2006(第21届非挥发性半导体内存学会)”上，富士通研究所表示要开始开发新型非挥发性内存ReRAM(resistive RAM，电阻式内存)。富士通的目标是以车载领域为代表的混载闪存市场，力争2010年前后达到实用水平。2005年英特尔、美国Spansion和日本NTT据悉都已涉足ReRAM领域，开发日趋活跃，车载市场的ReRAM时代指日可待。
富士通表示，ReRAM能够满足混载领域所要求的耗电量、数据读取时间、单元面积，以及对工艺温度等特性的要求。比如耗电量为“工作电压在1.8V以下，且写入电流在100μA以下”。数据读取时间少于10ns，单元面积在8F2(F为设计标准)以下，工艺温度在400℃以下。而PRAM(相变内存)和MRAM(磁阻内存)等新型非挥发性内存，该公司认为很难达到上述要求。其次，ReRAM在高温环境下工作可靠性高，在混载用途中尤其在市场有望不断扩大的车载领域处于优势地位。此外，由于只需在逻辑LSI制造工艺中增加2枚掩膜，即可完成混载，因此能够降低工艺成本。此次，富士通推出了新的工作机理假说，以及记忆元件材料方案。
尽管富士通在面向IC卡的FeRAM(ferroelectric RAM，铁电内存)领域有过量产经历，但业界人士指出FeRAM很难将工艺提高到闪存替代产品所要求的65-45nm工艺水平。